KSC5338

更新时间： 2024-02-23 06:57:33

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描述
isc Silicon NPN Power Transistor

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KSC5338 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SFM	包装说明：	TO-220, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.91	最大集电极电流 (IC)：	5 A
集电极-发射极最大电压：	450 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	6	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	100 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	14 MHz

KSC5338 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

KSC5338

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_{(BR) CEO}= 450V(Min)

·High Switching Speed

·Wide Area of Safe Operation

APPLICATIONS

·Designed for switching regulator and general purpose

applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

UNIT

1000

450

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

Base Current-Continuous

Base Current-Peak

I_CM

I_B

I_BM

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

100

150

-65~150

℃

T_J

Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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