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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> KSC5338
KSC5338 PDF预览

KSC5338

更新时间： 2024-01-13 02:50:15
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体开关晶体管功率双极晶体管电源开关高压局域网
页数 文件大小 规格书
5页 73K
描述
High Voltage Power Switch Switching Application

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KSC5338 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SFM包装说明：TO-220, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.91最大集电极电流 (IC)：5 A
集电极-发射极最大电压：450 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：6JEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：100 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：14 MHz

KSC5338 数据手册

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KSC5338  
High Voltage Power Switch Switching  
Application  
•
•
High Speed Switching  
Wide SOA  
TO-220  
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
1
NPN Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
Collector Current (Pulse)  
Base Current (DC)  
1000  
CBO  
450  
V
CEO  
EBO  
9
V
I
I
5
A
C
10  
A
CP  
B
I
I
2
4
A
Base Current (Pulse)  
A
BP  
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
100  
W
°C  
°C  
C
C
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
- 65 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
1000  
450  
9
Typ.  
Max.  
Units  
BV  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
I
I
= 1mA, I = 0  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
C
E
BV  
BV  
= 5mA, I =0  
B
C
I =1mA, I =0  
V
C
E
I
I
V
= 800V, V = 0  
10  
10  
30  
µA  
µA  
CBO  
EBO  
CB  
EB  
BE  
Emitter Cut-off Current  
V
= 9V, I = 0  
C
h
h
* DC Current Gain  
V
V
= 5V, I = 0.5A  
15  
6
FE1  
FE2  
CE  
CE  
C
= 1V, I = 2A  
C
V
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
I
I
= 1A, I = 0.1A  
0.55  
0.8  
0.5  
V
V
CE  
C
C
B
= 2A, I = 0.4A  
B
V
(sat)  
I
I
= 1A, I = 0.1A  
1.1  
1.25  
V
V
BE  
C
C
B
= 2A, I = 0.4A  
B
C
Output Capacitance  
Input Capacitance  
Current Gain Bandwidth Product  
Turn ON Time  
V
V
V
V
= 10V, f =1MHz  
70  
1000  
14  
pF  
pF  
ob  
CB  
EB  
EB  
CC  
C
=8V, I =0, f =1MHz  
C
ib  
f
= 6V, I = 0.1A  
MHz  
ns  
T
C
t
t
t
= 125V, I = 1A  
200  
2
ON  
C
I
= 0.2A, I = - 0.2A  
Storage Time  
B1  
B2  
µs  
STG  
F
R =125Ω  
L
Fall Time  
500  
ns  
* Pulse Test : Pulse Width=5ms, Duty Cycle≤10%  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, February 2000  
12345

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