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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SFM | 包装说明： | TO-220, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.92 | 最大集电极电流 (IC)： | 3.5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 800 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 8 | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 60 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KSC5327J69Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3.5A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Pla |
|
| KSC5328 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
|
| KSC5328J69Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
|
| KSC5337 | ISC |
获取价格 |
isc Silicon NPN Power Transistor |
|
| KSC5337F | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
|
| KSC5338 | ISC |
获取价格 |
isc Silicon NPN Power Transistor |
|
| KSC5338 | FAIRCHILD |
获取价格 |
High Voltage Power Switch Switching Application |
|
| KSC5338D | FAIRCHILD |
获取价格 |
High Voltage Power Switch Switching Application |
|
| KSC5338D | ONSEMI |
获取价格 |
NPN型三重扩散平面硅晶体管 |
|
| KSC5338D_10 | FAIRCHILD |
获取价格 |
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor |
|
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