KSC5337

更新时间： 2024-02-28 16:31:27

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描述
isc Silicon NPN Power Transistor

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KSC5337 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220F	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.45	其他特性：	HIGH RELIABILITY
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	8 A
集电极-发射极最大电压：	400 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	8	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	100 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

KSC5337 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

KSC5337

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_{(BR) CEO}= 400V(Min)

·High Switching Speed

·Wide Area of Safe Operation

APPLICATIONS

·Designed for switching regulator and general purpose

applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

UNIT

700

400

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

Base Current-Continuous

Base Current-Peak

I_CM

I_B

I_BM

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

100

150

-65~150

℃

T_J

Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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