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KSC5326 PDF预览

KSC5326

更新时间： 2024-02-17 06:20:21
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 30K
描述
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220, 3 PIN

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KSC5326 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SFM
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.84
最大集电极电流 (IC)：2 A集电极-发射极最大电压：800 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：8
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：NPN功耗环境最大值：40 W
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：12 MHz最大关闭时间（toff）：2250 ns
最大开启时间（吨）：500 nsVCEsat-Max：2 V
Base Number Matches：1

KSC5326 数据手册

 浏览型号KSC5326的Datasheet PDF文件第2页 
NPN TRIPLE DIFFUSED  
KSC5326  
PLANER SILICON TRANSISTOR  
HIGH VOLTAGE POWER SWITCH  
SWITCHING APPLICATION  
TO-220  
· High Speed Switching  
· Wide SOA  
· High Collector-Base Voltage  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Characteristic  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
Collector Current (Pulse)  
Base Current (DC)  
Symbol  
VCBO  
Rating  
Unit  
V
1200  
VCEO  
VEBO  
IC  
800  
V
7
V
2
A
ICP  
5
1
A
IB  
A
Base Current (Pulse)  
Collector Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
IBP  
2.5  
A
PC  
40  
W
°C  
°C  
TJ  
150  
TSTG  
-65 ~ 150  
* Pulse Test: Pulse Width=100ms, Duty Cycle£10%  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC =25°C)  
Characteristic  
Collector Base Breakdown Voltage  
Collector Emitter Breakdown Voltage  
Emitter Base Breakdown Voltage  
Collector Cut off Current  
Symbol  
BVCBO  
Test Conditions  
IC = 1mA, IE = 0  
Min  
1200  
800  
12  
Typ  
Max  
Unit  
V
BVCEO  
BVEEO  
ICBO  
IC = 5mA, IB =0  
V
IE = 1mA, IC = 0  
V
VCB = 800V, IE = 0  
VEB = 9V, IC = 0  
10  
10  
40  
mA  
mA  
Emitter Cutoff Current  
IEBO  
DC Current Gain  
hFE  
hFE  
1
2
VCE = 5V, IC = 0.1A  
VCE = 5V, IC = 0.4A  
IC = 500mA, IB = 100mA  
IC = 500mA, IB = 100mA  
VCB = 10V, IE = 0, f = 1MHz  
VCC = 400V,  
10  
8
Collector Emitter Saturation Voltage  
Base Emitter Saturation Voltage  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
2.0  
1.5  
V
V
pF  
ms  
ms  
ms  
Output Capacitance  
Turn On Time  
Storage Time  
Fall Time  
COB  
tON  
tSTG  
tF  
0.5  
2.0  
IC = 1A = 5IB1 = -2.5 · IB2  
RL = 400W  
0.25  
30  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction to Case  
3.12  
Rq jC  
Rev. B  
ã
1999 Fairchild Semiconductor Corporation  
12

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