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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SFM |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 2 A | 集电极-发射极最大电压： | 800 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 8 |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 40 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 12 MHz | 最大关闭时间（toff）： | 2250 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 500 ns | VCEsat-Max： | 2 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KSC5326J69Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
|
| KSC5327 | SAMSUNG |
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Power Bipolar Transistor, 3.5A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Pla |
|
| KSC5327 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3.5A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Pla |
|
| KSC5327J69Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3.5A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Pla |
|
| KSC5328 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
|
| KSC5328J69Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
|
| KSC5337 | ISC |
获取价格 |
isc Silicon NPN Power Transistor |
|
| KSC5337F | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
|
| KSC5338 | ISC |
获取价格 |
isc Silicon NPN Power Transistor |
|
| KSC5338 | FAIRCHILD |
获取价格 |
High Voltage Power Switch Switching Application |
|
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