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KSC2859OS62Z

更新时间： 2024-09-15 14:51:55

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	62K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

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KSC2859OS62Z 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.84
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	30 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	70
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	300 MHz
Base Number Matches：	1

KSC2859OS62Z 数据手册

KSC2859

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER

· Complement to KSA1182

STO-23

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_A=25°C)

Characteristic

Symbol

Rating

Unit

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Collector Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

V_CBO

500

150

°C

V_CEO

V_EBO

I_C

P_C

T_J

150

-55 ~ 150

T_STG

1. Base 2. Emitter 3. Collector

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A=25°C)

Characteristic

Symbol

I_CEO

Test Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Collector Cut-off Current

Emitter Cut-off Current

DC Current Gain

V_CB=35V, I_E=0

V_EB=5V, I_C=0

V_CE=1V, I_C=100mA

V_CE=6V, I_C=400mA

I_C=100mA, I_B=10mA

0.1

240

I_EBO

h_FE(1)

h_FE(2)

V_CE(sat)

V_BE(on)

f_T

MHz

Collector-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter On Voltage

Current Gain-Bandwidth Product

Output Capacitance

0.25

1.0

0.1

0.8

300

I_C=100mA, V_CE=1V

I_C=20mA, V_CE=6V

V_CB=6V, I_E=0

C_OB

f=1MHz

h_FECLASSIFICATION

Classification

h_FE(1)

70-140

120-240

Rev. B

1999 Fairchild Semiconductor Corporation

12 3

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