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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOT-23 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 30 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 70 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 200 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KSC2859Y | FAIRCHILD |
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Low Frequency Power Amplifier |
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| KSC2859-Y | SAMSUNG |
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暂无描述 |
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| KSC2859YMTF | FAIRCHILD |
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Low Frequency Power Amplifier |
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| KSC2859YS62Z | FAIRCHILD |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| KSC2874 | SAMSUNG |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 |
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| KSC2881 | FAIRCHILD |
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Power Amplifier |
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| KSC2881 | KEXIN |
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NPN Epitaxial Silicon Transistor |
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| KSC2881 | TYSEMI |
获取价格 |
Collector-Emitter Voltage : VCEO=120V |
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| KSC2881 | SAMSUNG |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-89 |
|
| KSC2881_05 | FAIRCHILD |
获取价格 |
NPN Epitaxial Silicon Transistor |
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