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KSC2883OTF

更新时间： 2024-11-25 21:10:39
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 43K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,

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KSC2883OTF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT-89
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.72
最大集电极电流 (IC)：1.5 A集电极-发射极最大电压：30 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：100
JESD-30 代码：R-PSSO-F3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.5 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：120 MHz
Base Number Matches：1

KSC2883OTF 数据手册

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KSC2883  
Low Frequency Power Amplifier  
•
•
•
3W Output Application  
Collector Dissipation : P =1~2W in Mounted on Ceramic Board  
Complement to KSA1203  
C
SOT-89  
1. Base 2. Collector 3. Emitter  
1
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
30  
Units  
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
V
V
V
A
A
CBO  
30  
CEO  
EBO  
5
I
I
1.5  
0.3  
C
Base Current  
B
P
P *  
Collector Power Dissipation  
500  
1,000  
mW  
mW  
C
C
T
T
Junction Temperature  
150  
°C  
°C  
J
Storage Temperature  
-55 ~ 150  
STG  
2
* Mounted on Ceramic Board (250mm x0.8mm)  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
Test Condition  
Min.  
30  
5
Typ.  
Max.  
Units  
BV  
I =10µA, I =0  
V
V
CEO  
EBO  
C
B
BV  
I =1mA, I =0  
E C  
I
I
V
=30V, I =0  
100  
100  
320  
2.0  
nA  
nA  
CBO  
EBO  
CB  
BE  
CE  
E
Emitter Cut-off Current  
V
V
=5V, I =0  
C
h
DC Current Gain  
=2V, I =500mA  
100  
FE  
C
V
V
(sat)  
(on)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter On Voltage  
I =1.5A, I =30mA  
V
V
CE  
BE  
C
B
V
=2V, I =500mA  
1.0  
CE  
CE  
CB  
C
f
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
V
V
=2V, I =500mA  
C
120  
40  
MHz  
pF  
T
=10V, I =0, f=1MHz  
E
C
ob  
h
Classification  
FE  
Classification  
O
Y
h
100 ~ 200  
160 ~ 320  
FE  
Marking  
SHX  
h
grade  
FE  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A2, September 2002  
12345

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