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KSC2982D PDF预览

KSC2982D

更新时间： 2024-11-25 19:42:27
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 63K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 10V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-89, 3 PIN

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KSC2982D 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT-89包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.88外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：2 A集电极-发射极最大电压：10 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：420
JESD-30 代码：R-PSSO-F3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.5 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：FLAT
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：150 MHzBase Number Matches：1

KSC2982D 数据手册

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KSC2982  
Strobe Flash & Medium Power Amplifier  
•
•
•
Excellent h Linearity : h =140 ~ 600  
Low Collector-Emitter Saturation Voltage : V (sat)=0.5V  
FE FE1  
CE  
Collector Dissipation : P =1~2W in Mounted on Ceramic Board  
C
SOT-89  
1. Base 2. Collector 3. Emitter  
1
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
30  
30  
10  
6
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter Base Voltage  
V
V
V
V
A
A
A
A
CBO  
CES  
CEO  
EBO  
I
I
I
I
Collector Current (DC)  
* Collector Current (Pulse)  
Base Current (DC)  
2
C
4
CP  
B
0.4  
0.8  
* Base Current (Pulse)  
Collector Power Dissipation  
BP  
P
P *  
500  
1,000  
mW  
mW  
C
C
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
°C  
°C  
J
-55 ~ 150  
STG  
* PW≤10ms, Duty Cycle≤30%  
Mounted on Ceramic Board (250mm x0.8mm)  
2
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
Test Condition  
Min.  
10  
6
Typ.  
Max.  
Units  
BV  
I =10mA, I =0  
V
V
CEO  
EBO  
C
B
BV  
I =1mA, I =0  
E C  
I
I
V
=30V, I =0  
100  
100  
600  
nA  
nA  
CBO  
EBO  
CB  
BE  
E
V
=6V, I =0  
C
h
h
DC Current Gain  
V
V
=1V, I =0.5A  
140  
70  
FE1  
FE2  
CE  
CE  
C
=1V, I =2A  
140  
0.2  
C
V
V
(sat)  
(on)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter On Voltage  
I =2A, I =50mA  
0.5  
1.5  
V
V
CE  
BE  
C
B
V
=1V, I =2A  
0.86  
150  
27  
CE  
CE  
CB  
C
f
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
V
V
=1V, I =2A  
C
MHz  
pF  
T
=10V, I =0, f=1MHz  
E
C
ob  
h
Classification  
FE1  
Classification  
A
B
C
D
h
140 ~ 240  
200 ~ 330  
300 ~ 450  
420 ~ 600  
FE1  
Marking  
SSX  
h
grade  
FE  
©2003 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A3, February 2003  
1234

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