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KSC2881O PDF预览

KSC2881O

更新时间： 2024-11-06 19:44:51
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 39K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-89, 3 PIN

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KSC2881O 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT-89包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.83外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：0.8 A集电极-发射极最大电压：120 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：80
JESD-30 代码：R-PSSO-F3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.5 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：FLAT
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：120 MHzBase Number Matches：1

KSC2881O 数据手册

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KSC2881  
Power Amplifier  
•
•
•
•
Collector-Emitter Voltage : V  
=120V  
CEO  
Current Gain Bandwidth Productor : f =120MHz  
Collector Dissipation : P =1~2W in Mounted on Ceramic Board  
Complement to KSA1201  
T
C
SOT-89  
1. Base 2. Collector 3. Emitter  
1
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
120  
120  
5
Units  
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
V
I
I
800  
160  
mA  
mA  
C
Base Current  
B
P
P *  
Collector Power Dissipation  
500  
1,000  
mW  
mW  
C
C
T
T
Junction Temperature  
150  
°C  
°C  
J
Storage Temperature  
-55 ~ 150  
STG  
2
* Mounted on Ceramic Board (250mm x0.8mm)  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
Test Condition  
Min.  
120  
5
Typ.  
Max.  
Units  
BV  
I =10µA, I =0  
V
V
CEO  
EBO  
C
B
BV  
I =1mA, I =0  
E C  
I
I
V
=120V, I =0  
100  
100  
240  
1.0  
nA  
nA  
CBO  
EBO  
CB  
BE  
CE  
E
Emitter Cut-off Current  
V
V
=5V, I =0  
C
h
DC Current Gain  
=5V, I =100mA  
80  
FE  
C
V
V
(sat)  
(on)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter On Voltage  
I =500mA, I =50mA  
V
V
CE  
BE  
C
B
V
=5V, I =500mA  
1.0  
CE  
CE  
CB  
C
f
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
V
V
=5V, I =100mA  
C
120  
MHz  
pF  
T
=10V, I =0, f=1MHz  
E
30  
C
ob  
h
Classification  
FE  
Classification  
O
Y
h
80 ~ 160  
120 ~ 240  
FE  
Marking  
SCX  
h
grade  
FE  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A2, September 2002  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KSC2881-O SAMSUNG

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-89
KSC2881OTF FAIRCHILD

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 		Low Frequency Power Amplifier
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 		NPN Epitaxial Silicon Transistor
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