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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOT-89 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.76 |
| 其他特性： | HIGH VOLTAGE | 最大集电极电流 (IC)： | 0.8 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 120 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 80 | JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 120 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KSC2881_05 | FAIRCHILD |
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NPN Epitaxial Silicon Transistor |
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| KSC2881O | FAIRCHILD |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-89 |
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| KSC2881-O | SAMSUNG |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-89 |
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| KSC2881OTF | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
|
| KSC2881Y | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-89 |
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| KSC2881-Y | SAMSUNG |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-89 |
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| KSC2881YTF | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
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| KSC2881YTF_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, LEAD F |
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| KSC2883 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Low Frequency Power Amplifier |
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| KSC2883 | SAMSUNG |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-89, |
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