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KMM466F203CS2-L6

更新时间： 2024-11-21 19:06:03

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
22页	421K
描述
EDO DRAM Module, 2MX64, 60ns, CMOS, SODIMM-144

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KMM466F203CS2-L6 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	MODULE
包装说明：	DIMM, DIMM144,32	针数：	144
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.84
访问模式：	FAST PAGE WITH EDO	最长访问时间：	60 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-XDMA-N144	内存密度：	134217728 bit
内存集成电路类型：	EDO DRAM MODULE	内存宽度：	64
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	144	字数：	2097152 words
字数代码：	2000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	2MX64	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	DIMM
封装等效代码：	DIMM144,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
自我刷新：	YES	最大待机电流：	0.0016 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.64 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

KMM466F203CS2-L

KMM466F213CS2-L

DRAM MODULE

2Mx64 SODIMM

(2MX8 Base)

Revision 2.0

November 1997

Rev. 2.0 (Nov. 1997)

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
KMM466F213BS1-L5	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM Module, 2MX64, 50ns, CMOS, SODIMM-144
KMM466F213BS1-L6	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM Module, 2MX64, 60ns, CMOS, SODIMM-144
KMM466F213BS-L6	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM Module, 2MX64, 60ns, CMOS, DIMM-144
KMM466F213CS1-L6	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM Module, 2MX64, 60ns, CMOS, PDMA144
KMM466F213CS2-L6	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM Module, 2MX64, 60ns, CMOS, SODIMM-144
KMM466F404AS1-L6	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM Module, 4MX64, 60ns, CMOS, SODIMM-144
KMM466F404BS1-L5	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM Module, 4MX64, 50ns, CMOS, SODIMM-144
KMM466F404BS1-L6	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM Module, 4MX64, 60ns, CMOS, SODIMM-144
KMM466F803BS2-5L	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM Module, 8MX64, 50ns, CMOS
KMM466F803BS2-L5	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM Module, 8MX64, 50ns, CMOS