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KMM466F213BS1-L5

更新时间： 2024-01-22 23:22:24

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
7页	486K
描述
EDO DRAM Module, 2MX64, 50ns, CMOS, SODIMM-144

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KMM466F213BS1-L5 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	DIMM, DIMM144,32
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
访问模式：	FAST PAGE WITH EDO	最长访问时间：	50 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH; WD-MAX	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-XDMA-N144	长度：	67.6 mm
内存密度：	134217728 bit	内存集成电路类型：	EDO DRAM MODULE
内存宽度：	64	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	144
字数：	2097152 words	字数代码：	2000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	2MX64
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	DIMM	封装等效代码：	DIMM144,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	2048	座面最大高度：	25.53 mm
自我刷新：	YES	最大待机电流：	0.0024 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.88 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	3.81 mm
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
KMM466F213BS1-L6	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM Module, 2MX64, 60ns, CMOS, SODIMM-144
KMM466F213BS-L6	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM Module, 2MX64, 60ns, CMOS, DIMM-144
KMM466F213CS1-L6	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM Module, 2MX64, 60ns, CMOS, PDMA144
KMM466F213CS2-L6	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM Module, 2MX64, 60ns, CMOS, SODIMM-144
KMM466F404AS1-L6	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM Module, 4MX64, 60ns, CMOS, SODIMM-144
KMM466F404BS1-L5	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM Module, 4MX64, 50ns, CMOS, SODIMM-144
KMM466F404BS1-L6	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM Module, 4MX64, 60ns, CMOS, SODIMM-144
KMM466F803BS2-5L	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM Module, 8MX64, 50ns, CMOS
KMM466F803BS2-L5	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM Module, 8MX64, 50ns, CMOS
KMM466F803BS2-L6	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM Module, 8MX64, 60ns, CMOS