生命周期: | Obsolete | 包装说明: | DIMM, DIMM144,32 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.84 |
最长访问时间: | 50 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDMA-N144 | 内存密度: | 134217728 bit |
内存集成电路类型: | EDO DRAM MODULE | 内存宽度: | 64 |
端子数量: | 144 | 字数: | 2097152 words |
字数代码: | 2000000 | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 2MX64 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | DIMM | 封装等效代码: | DIMM144,32 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
电源: | 3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
刷新周期: | 4096 | 自我刷新: | YES |
最大待机电流: | 0.0016 A | 子类别: | DRAMs |
最大压摆率: | 0.72 mA | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子形式: | NO LEAD |
端子节距: | 0.8 mm | 端子位置: | DUAL |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
KMM466F203CS2-L6 | SAMSUNG |
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EDO DRAM Module, 2MX64, 60ns, CMOS, SODIMM-144 | |
KMM466F213BS1-L5 | SAMSUNG |
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EDO DRAM Module, 2MX64, 50ns, CMOS, SODIMM-144 | |
KMM466F213BS1-L6 | SAMSUNG |
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EDO DRAM Module, 2MX64, 60ns, CMOS, SODIMM-144 | |
KMM466F213BS-L6 | SAMSUNG |
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EDO DRAM Module, 2MX64, 60ns, CMOS, DIMM-144 | |
KMM466F213CS1-L6 | SAMSUNG |
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EDO DRAM Module, 2MX64, 60ns, CMOS, PDMA144 | |
KMM466F213CS2-L6 | SAMSUNG |
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EDO DRAM Module, 2MX64, 60ns, CMOS, SODIMM-144 | |
KMM466F404AS1-L6 | SAMSUNG |
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EDO DRAM Module, 4MX64, 60ns, CMOS, SODIMM-144 | |
KMM466F404BS1-L5 | SAMSUNG |
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EDO DRAM Module, 4MX64, 50ns, CMOS, SODIMM-144 | |
KMM466F404BS1-L6 | SAMSUNG |
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EDO DRAM Module, 4MX64, 60ns, CMOS, SODIMM-144 | |
KMM466F803BS2-5L | SAMSUNG |
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EDO DRAM Module, 8MX64, 50ns, CMOS |