5秒后页面跳转
KDS226 PDF预览

KDS226

更新时间: 2024-09-12 22:32:23
品牌 Logo 应用领域
KEC 二极管开关光电二极管PC局域网
页数 文件大小 规格书
2页 208K
描述
SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE (ULTRA HIGH SPEED SWITCHING)

KDS226 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Active
零件包装代码:SOT-23包装说明:R-PDSO-G3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.70
风险等级:5.71Samacsys Confidence:4
Samacsys Status:ReleasedSamacsys PartID:1370133
Samacsys Pin Count:3Samacsys Part Category:Diode
Samacsys Package Category:OtherSamacsys Footprint Name:KDS226
Samacsys Released Date:2018-08-08 16:58:22Is Samacsys:N
配置:SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:2端子数量:3
最高工作温度:150 °C最大输出电流:0.1 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
最大功率耗散:0.15 W认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:85 V最大反向恢复时间:0.004 µs
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

KDS226 数据手册

 浏览型号KDS226的Datasheet PDF文件第2页 

与KDS226相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KDS2572 TYSEMI

获取价格

RDS(ON) = 0.040 (Typ.), VGS = 10V Maximized efficiency at high frequencies
KDS2572 KEXIN

获取价格

N-Channel UltraFET Trench MOSFET
KDS-29008 ETC

获取价格

Speaker - Mylar Cone
KDS33 CK-COMPONENTS

获取价格

Intrusion Switches
KDS33 ITT

获取价格

Intrusion Switches
KDS33 LITTELFUSE

获取价格

Intrusion Switch
KDS3512 TYSEMI

获取价格

4.0 A, 80 V. RDS(ON) = 70m VGS = 10 V High power and current handling capability
KDS3512 KEXIN

获取价格

80V N-Channel PowerTrench MOSFET
KDS3601 KEXIN

获取价格

100V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
KDS3601 TYSEMI

获取价格

1.3 A, 100 V. RDS(ON) = 480m RDS(ON) = 530m Fast switching speed