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KDS4148U

更新时间： 2024-11-17 03:47:43

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KEC		二极管光电二极管局域网
页数	文件大小	规格书
2页	82K
描述
SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE

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KDS4148U 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	R-PDSO-G2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.67	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	0.15 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	最大功率耗散：	0.2 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	100 V
最大反向恢复时间：	0.004 µs	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

KDS4148U 数据手册

SEMICONDUCTOR

KDS4148U

SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE

TECHNICAL DATA

ULTRA HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION.

FEATURES

Small Package : USC.

Low Forward Voltage.

Fast Reverse Recovery Time.

Small Total capacitance.

DIM

MILLIMETERS

2.50+0.1

MAXIMUM RATING (Ta=25

CHARACTERISTIC

)

1.25 0.05

0.90 0.05

SYMBOL RATING

UNIT

0.30+0.06/-0.04

1.70+0.05

V_RM

V_R

I_FM

I_O

Maximum (Peak) Reverse Voltage

Reverse Voltage

100

MIN 0.17

0.126+0.03

1. ANODE

0~0.1

1.0 MAX

0.15+0.05

2. CATHODE

Maximum (Peak) Forward Current

Average Forward Current

Surge Current (10mS)

450

0.4+0.05

150

+4/-2

4~6

I_FSM

P_D

Power Dissipation

USC

T_j

Junction Temperature

150

T_stg

Storage Temperature Range

-55 150

Marking

Type Name

U H

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25

)

CHARACTERISTIC

SYMBOL

V_F(1)

V_F(2)

V_F(3)

I_R

TEST CONDITION

MIN.

TYP.

0.60

0.72

0.90

MAX.

UNIT

I_F=1mA

I_F=10mA

Forward Voltage

I_F=100mA

V_R=75V

1.20

0.5

2.0

4.0

Reverse Current

C_T

V_R=0V, f=1MHz

I_F=10mA

Total Capacitance

Reverse Recovery Time

0.9

t_rr

1.6

2004. 10. 5

Revision No : 1

1/2

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与KDS4148U相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
KDS4148U_08	KEC	获取价格	USC PACKAGE
KDS4148U_09	KEC	获取价格	SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE
KDS4148W	KEC	获取价格	SOD-123
KDS4470	KEXIN	获取价格	40V N-Channel PowerTrench MOSFET
KDS4470	TYSEMI	获取价格	12.5 A, 40 V. RDS(ON) = 9m VGS = 10 V High power and current handling capability
KDS4501H	TYSEMI	获取价格	N-Channel 9.3 A, 30 V RDS(ON) = 18m RDS(ON) = 23m 5.6 A, -20 V RDS(ON) = 46 m
KDS4501H	KEXIN	获取价格	Complementary PowerTrench Half-Bridge MOSFET
KDS4559	KEXIN	获取价格	60V Complementary PowerTrench MOSFET
KDS4559	TYSEMI	获取价格	N-Channel 4.5 A, 60 V RDS(ON) = 55m RDS(ON) = 75m 3.5 A, -60 V RDS(ON) = 105
KDS4953	KEXIN	获取价格	Dual 30V P-Channel PowerTrench MOSFET