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KDS4148E

更新时间： 2024-11-18 17:15:47

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KDS4148E 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	ESC, 2 PIN
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.7
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	0.1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	最大功率耗散：	0.15 W
最大重复峰值反向电压：	85 V	最大反向恢复时间：	0.004 µs
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

KDS4148E 数据手册

SEMICONDUCTOR

KDS4148E

SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE

TECHNICAL DATA

ULTRA HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION.

FEATURES

· Small Package : ESC.

· Low Forward Voltage.

· Fast Reverse Recovery Time.

· Small Total capacitance.

· Suffix U : Qualified to AEC-Q101.

ex) KDS4148E-RTK/HU

MAXIMUM RATING (Ta=25℃)

DIM MILLIMETERS

1.60+0.10

1.20+0.10

0.80+0.10

0.30+0.05

0.60 0.10

CHARACTERISTIC

Maximum (Peak) Reverse Voltage

Reverse Voltage

SYMBOL RATING

UNIT

0.13 0.05

0.20 0.10

V_RM

V_R

I_FM

I_O

Maximum (Peak) Forward Current

Average Forward Current

Surge Current (10mS)

300

ESC

100

I_FSM

P_D*

T_j

Power Dissipation

150

℃

Junction Temperature

150

T_stg

Storage Temperature Range

-55∼ 150

℃

Marking

Type Name

* : Mounted on a glass epoxy circuit board of 20×20mm,

pad dimension of 4×4mm.

℃

)

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25

CHARACTERISTIC

SYMBOL

TEST CONDITION

MIN.

TYP.

0.60

0.72

0.90

MAX.

UNIT

V_F(1)

V_F(2)

V_F(3)

I_R

I_F=1mA

I_F=10mA

Forward Voltage

I_F=100mA

V_R=80V

1.20

0.5

3.0

4.0

Reverse Current

μA

C_T

V_R=0V, f=1MHz

I_F=10mA

Total Capacitance

Reverse Recovery Time

0.9

t_rr

1.6

2018. 04. 10

Revision No : 2

1/2

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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KDS4148U	KEC	获取价格	SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE
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KDS4148U_09	KEC	获取价格	SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE
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