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K7D161871B-HC40

更新时间： 2024-09-17 19:56:19

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
16页	176K
描述
Standard SRAM, 1MX18, CMOS, PBGA153

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K7D161871B-HC40 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	BGA, BGA153,9X17,50
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.92
最大时钟频率 (fCLK)：	400 MHz	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PBGA-B153	JESD-609代码：	e0
内存密度：	18874368 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	18	湿度敏感等级：	3
端子数量：	153	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	1MX18	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	BGA
封装等效代码：	BGA153,9X17,50	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	1.5,2.5 V
认证状态：	Not Qualified	最大待机电流：	0.15 A
最小待机电流：	2.37 V	子类别：	SRAMs
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	BALL	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
Base Number Matches：	1

K7D161871B-HC40 数据手册

Advance

K7D163671B

K7D161871B

512Kx36 & 1Mx18 SRAM

Document Title

1 6 M D D R S Y N C H R O N O U S S R A M

Revision History

R e v N o .

History

Draft Data

R e m a r k

Rev. 0.0

Initial document.

F e b . 2 0 0 3

A d v a n c e

T h e a t t a c h e d d a t a s h e e t s a r e p r e p a r e d a n d a p p r o v e d b y S A M S U N G E l e c t r o n i c s . S A M S U N G E l e c t r o n i c s C O . , L T D . r e s e r v e t h e

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