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K7D163671M-HC33

更新时间： 2024-09-17 20:36:27

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟双倍数据速率静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
14页	257K
描述
DDR SRAM, 512KX36, 1.7ns, CMOS, PBGA153, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, FLIP CHIP, BGA-153

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K7D163671M-HC33 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	BGA, BGA153,9X17,50
针数：	153	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.92	最长访问时间：	1.7 ns
最大时钟频率 (fCLK)：	333 MHz	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PBGA-B153	JESD-609代码：	e0
长度：	22 mm	内存密度：	18874368 bit
内存集成电路类型：	DDR SRAM	内存宽度：	36
功能数量：	1	端子数量：	153
字数：	524288 words	字数代码：	512000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	512KX36
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	BGA	封装等效代码：	BGA153,9X17,50
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	1.5,2.5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	2.55 mm	最小待机电流：	2.37 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.75 mA
最大供电电压 (Vsup)：	2.63 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.37 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	BALL
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	14 mm
Base Number Matches：	1

K7D163671M-HC33 数据手册

K7D163671M

K7D161871M

512Kx36 & 1Mx18 SRAM

Document Title

16M DDR SYNCHRONOUS SRAM

Revision History

RevNo.

Rev. 0.0

Rev. 0.1

History

DraftData

March. 1999

April. 2000

Remark

Advance

Initial document.

Addition of New speed bin -25

New part number from KM736FS16017 to K7D163671M

Package height changed.

Rev. 0.2

Leakage current test condition changed from VDD to VDDQ

Package height changed.(From 2.4 to 2.5)

May. 2000

Advance

Rev. 0.3

Rev. 0.5

Rev. 0.6

Rev. 0.7

ZQ tolerance changed from 10% to 15%

Aug. 2000

Jan. 2001

April. 2001

May. 2001

Advance

Deleted -HC25 part(Part Number, Idd, AC Characterisctics)

Add-HC37 part(Part Number, Idd, AC Characteristics)

Preliminary

Clarification on the features and the timing waveforms regarding the

burst controllability.

Package thermal characteristics add

IDD37 x36 changed from 800mA to 850mA

IDD37 x18 changed from 750mA to 800mA

Rev. 1.0

Rev. 2.0

Add-HC40 part(Part Number, Idd, AC Characteristics)

Final specification release.

Sep. 2001

Jan. 2002

Final

Absolute Maximum Rating VDDQ changed from 3.13V to 2.3V

The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the

right to change the specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions on the parameters

of this device. If you have any questions, please contact the SAMSUNG branch office near your office, call or cortact Headquarters.

Rev 2.0

- 1 -

Jan. 2002

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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