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K7D321874C-GC33

更新时间： 2024-11-07 15:36:07

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
18页	457K
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Standard SRAM, 2MX18, CMOS, PBGA153

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K7D321874C-GC33 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	BGA, BGA153,9X17,50
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
最大时钟频率 (fCLK)：	333 MHz	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PBGA-B153	JESD-609代码：	e1
内存密度：	37748736 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	18	湿度敏感等级：	3
端子数量：	153	字数：	2097152 words
字数代码：	2000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	2MX18	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	BGA
封装等效代码：	BGA153,9X17,50	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	1.8/2.5 V
认证状态：	Not Qualified	最大待机电流：	0.3 A
最小待机电流：	1.7 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.55 mA	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	TIN SILVER COPPER	端子形式：	BALL
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	Base Number Matches：	1

K7D321874C-GC33 数据手册

K7D323674C

K7D321874C

1Mx36 & 2Mx18 SRAM

36Mb DDR SRAM Specification

153BGA with Pb & Pb-Free

(RoHS compliant)

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AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE.

NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE,

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* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev. 1.0 August 2006

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K7D321874C-GC330	SAMSUNG	获取价格	DDR SRAM, 2MX18, CMOS, PBGA153, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, BGA-153
K7D321874C-GC37	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 2MX18, CMOS, PBGA153
K7D321874C-GC370	SAMSUNG	获取价格	DDR SRAM, 2MX18, CMOS, PBGA153, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, BGA-153
K7D321874C-GC40	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 2MX18, CMOS, PBGA153
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K7D321874C-HC33	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 2MX18, CMOS, PBGA153
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K7D321874C-HC370	SAMSUNG	获取价格	DDR SRAM, 2MX18, CMOS, PBGA153, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-153
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