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K7D323674A-HC33

更新时间： 2024-11-07 11:27:43

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三星 - SAMSUNG		存储内存集成电路静态存储器双倍数据速率时钟
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32Mb A-die DDR SRAM Specification

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K7D323674A-HC33 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	BGA, BGA153,9X17,50
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.92
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	2 ns
最大时钟频率 (fCLK)：	333 MHz	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PBGA-B153	JESD-609代码：	e0
内存密度：	37748736 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	36	端子数量：	153
字数：	1048576 words	字数代码：	1000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	1MX36
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	BGA	封装等效代码：	BGA153,9X17,50
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	1.5,2.5 V	认证状态：	Not Qualified
最大待机电流：	0.3 A	最小待机电流：	1.7 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.9 mA
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	BALL	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

K7D323674A-HC33 数据手册

K7D323674A

K7D321874A

1Mx36 & 2Mx18 SRAM

32Mb A-die DDR SRAM Specification

153FCBGA with Pb & Pb-Free

(RoHS compliant)

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* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev 1.4

Oct. 2005

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