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K7D323674A-HC45

更新时间： 2024-11-07 21:21:55

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟双倍数据速率静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
18页	189K
描述
DDR SRAM, 1MX36, 2.5ns, CMOS, PBGA153, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-153

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K7D323674A-HC45 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	HBGA, BGA153,9X17,50
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.92
最长访问时间：	2.5 ns	其他特性：	PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)：	455 MHz	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PBGA-B153	JESD-609代码：	e0
长度：	22 mm	内存密度：	37748736 bit
内存集成电路类型：	DDR SRAM	内存宽度：	36
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	153	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	1MX36	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	HBGA
封装等效代码：	BGA153,9X17,50	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, HEAT SINK/SLUG	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	1.5,1.8 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	2.75 mm
最大待机电流：	0.3 A	最小待机电流：	1.7 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	1.05 mA
最大供电电压 (Vsup)：	2.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	BALL
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	宽度：	14 mm
Base Number Matches：	1

K7D323674A-HC45 数据手册

Advance

1Mx36 & 2Mx18 SRAM

K7D323674A

K7D321874A

Document Title

32M DDR SYNCHRONOUS SRAM

Revision History

Rev No.

Rev. 0.0

Rev. 0.1

History

DraftData

Dec. 2002

Jan. 2003

Remark

Advance

Initial document.

Remove /G operation thru the Spec.

- Remove /G from PUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM, PIN CONFIGURA-

TION, TRUTH TABLE and TIMING WAVEFORMs

Add 300MHz Speed bin.

- Add Part ID at ORDERING INFORMATION & IDD30at DC CHARACTERIS-

TICS

Change ILI and ILo at DC CHARCATERISTICS

- ILI : MIN -1 -> -3, MAX 1 -> 3, ILo : MIN -1 -> -5, MAX 1 -> 5

Change the comment of Programmable Impedance Output Driver.

Change RECOMMENDED DC OPERATING CONDITIONS.

- VREF : Min 0.68 -> 0.65, Max 1.0 -> 0.85

PRE- PUBLICATION DRAFT

Change PIN CAPACITANCE : CIN : 3 -> 3.1

SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE

Change AC TEST CONDITIONS : TR/RF: 0.4/0.4 -> 0.5/0.5

Change AC TIMING CHARACTERISTICS

- tCHCL : tKHKL -0.1 -> tKHKL -0.2 , tCLCH : tKLKH -0.1 -> tKLKH -0.2

- tCXCV : 2.10 -> 2.30

Rev 0.2

Feb. 2003

Advance

Change VDDQ RANGE

- In FEATURES : 1.5V VDDQ -> 1.5~.1.8V VDDQ

- In RECOMENDED DC OPERATING CONDITIONS : Max VDDQ : 1.6 -> 1.9

Change TRUTH TABLE : Remove Clock Stop

Change DC CHARACTERISTICS

- x36 IDD :

IDD50 : 950 -> 1050, IDD45 : 850 -> 950, IDD40: 800 -> 860, IDD30: 750 -> 760

- x18 IDD:

IDD50 : 850 -> 1000, IDD45 : 800 -> 900, IDD40: 750 -> 810, IDD30: 700 -> 710

- ISB1 : 150 -> 200

Change PIN CAPACITANCE : CIN : 3.1 -> 3.2, COUT : 4 -> 4.2

Change AC TIMING CHARACTERISTICS

- MIN tKHKL, tKHKL : -40 : 1.1 -> 1.2, -30 : 1.1 -> 1.4

- MIN tAVKH, tBVKH, tKHAX, tKHBX : -45 : 0.25 -> 0.27

- tKXCV MIN/MAX : 0.8/2.3 -> 1.0/2.5

Change PACKAGE THERMAL CHARACTERISTICS

The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the

right to change the specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions on the parameters

of this device. If you have any questions, please contact the SAMSUNG branch office near your office, call or cortact Headquarters.

Rev 0.4

- 1 -

Jun. 2003

12 3 4 5 6 7...18

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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K7D323674C	SAMSUNG	获取价格	1Mx36 & 2Mx18 SRAM
K7D323674C-GC33	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 1MX36, CMOS, PBGA153
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