是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | BGA | 包装说明: | BGA, BGA153,9X17,50 |
针数: | 153 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | 3A991.B.2.A | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.92 | 其他特性: | PIPELINED ARCHITECTURE |
最大时钟频率 (fCLK): | 375 MHz | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B153 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 22 mm | 内存密度: | 37748736 bit |
内存集成电路类型: | DDR SRAM | 内存宽度: | 18 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 153 |
字数: | 2097152 words | 字数代码: | 2000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 2MX18 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | BGA | 封装等效代码: | BGA153,9X17,50 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 230 |
电源: | 1.8/2.5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 2.21 mm | 最大待机电流: | 0.3 A |
最小待机电流: | 1.7 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.6 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 2.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 1.7 V | 标称供电电压 (Vsup): | 2.5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
宽度: | 14 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
K7D321874C-HC40 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 2MX18, CMOS, PBGA153 | |
K7D321874C-HC400 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR SRAM, 2MX18, CMOS, PBGA153, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-153 | |
K7D323674A | SAMSUNG |
获取价格 |
32Mb A-die DDR SRAM Specification | |
K7D323674A-GC33 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 1MX36, 2ns, CMOS, PBGA153 | |
K7D323674A-GC330 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR SRAM, 1MX36, CMOS, PBGA153, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, BGA-153 | |
K7D323674A-GC37 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 1MX36, 2ns, CMOS, PBGA153 | |
K7D323674A-GC370 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR SRAM, 1MX36, CMOS, PBGA153, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, BGA-153 | |
K7D323674A-GC40 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 1MX36, 2ns, CMOS, PBGA153 | |
K7D323674A-HC33 | SAMSUNG |
获取价格 |
32Mb A-die DDR SRAM Specification | |
K7D323674A-HC37 | SAMSUNG |
获取价格 |
32Mb A-die DDR SRAM Specification |