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K7D323674A-GC33

更新时间： 2024-11-07 21:08:47

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
19页	482K
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Standard SRAM, 1MX36, 2ns, CMOS, PBGA153

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K7D323674A-GC33 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	BGA, BGA153,9X17,50
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
最长访问时间：	2 ns	最大时钟频率 (fCLK)：	333 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PBGA-B153
JESD-609代码：	e3	内存密度：	37748736 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	36
湿度敏感等级：	1	端子数量：	153
字数：	1048576 words	字数代码：	1000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	1MX36
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	BGA	封装等效代码：	BGA153,9X17,50
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	225
电源：	1.5,2.5 V	认证状态：	Not Qualified
最大待机电流：	0.3 A	最小待机电流：	1.7 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.9 mA
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	BALL	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

K7D323674A-GC33 数据手册

K7D323674A

K7D321874A

1Mx36 & 2Mx18 SRAM

32Mb A-die DDR SRAM Specification

153FCBGA with Pb & Pb-Free

(RoHS compliant)

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED IN RELATION TO SAMSUNG PRODUCTS,

AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE.

NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE,

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* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev 1.4

Oct. 2005

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K7D323674A-GC330	SAMSUNG	获取价格	DDR SRAM, 1MX36, CMOS, PBGA153, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, BGA-153
K7D323674A-GC37	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 1MX36, 2ns, CMOS, PBGA153
K7D323674A-GC370	SAMSUNG	获取价格	DDR SRAM, 1MX36, CMOS, PBGA153, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, BGA-153
K7D323674A-GC40	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 1MX36, 2ns, CMOS, PBGA153
K7D323674A-HC33	SAMSUNG	获取价格	32Mb A-die DDR SRAM Specification
K7D323674A-HC37	SAMSUNG	获取价格	32Mb A-die DDR SRAM Specification
K7D323674A-HC370	SAMSUNG	获取价格	DDR SRAM, 1MX36, CMOS, PBGA153, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-153
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K7D323674A-HC50	SAMSUNG	获取价格	DDR SRAM, 1MX36, 2.5ns, CMOS, PBGA153, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-153

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