Datasheet > K7D321874C-GC370

K7D321874C-GC370

更新时间： 2024-11-07 15:36:07

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟双倍数据速率静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
18页	457K
描述
DDR SRAM, 2MX18, CMOS, PBGA153, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, BGA-153

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

K7D321874C-GC370 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	BGA, BGA153,9X17,50
针数：	153	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.84	其他特性：	PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)：	375 MHz	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PBGA-B153	JESD-609代码：	e1
长度：	22 mm	内存密度：	37748736 bit
内存集成电路类型：	DDR SRAM	内存宽度：	18
湿度敏感等级：	2	功能数量：	1
端子数量：	153	字数：	2097152 words
字数代码：	2000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	2MX18	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	BGA
封装等效代码：	BGA153,9X17,50	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	1.8/2.5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	2.21 mm
最大待机电流：	0.3 A	最小待机电流：	1.7 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.6 mA
最大供电电压 (Vsup)：	2.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	TIN SILVER COPPER	端子形式：	BALL
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	宽度：	14 mm
Base Number Matches：	1

K7D321874C-GC370 数据手册

K7D323674C

K7D321874C

1Mx36 & 2Mx18 SRAM

36Mb DDR SRAM Specification

153BGA with Pb & Pb-Free

(RoHS compliant)

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED IN RELATION TO SAMSUNG PRODUCTS,

AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE.

NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE,

EXPRESS OR IMPLIED, BY ESTOPPEL OR OTHERWISE,

TO ANY INTELLECTUAL PROPERTY RIGHTS IN SAMSUNG PRODUCTS OR TECHNOLOGY.

ALL INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED

ON AS "AS IS" BASIS WITHOUT GUARANTEE OR WARRANTY OF ANY KIND.

1. For updates or additional information about Samsung products, contact your nearest Samsung office.

2. Samsung products are not intended for use in life support, critical care, medical, safety equipment, or simi-

lar applications where Product failure could result in loss of life or personal or physical harm, or any military

or defense application, or any governmental procurement to which special terms or provisions may apply.

* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev. 1.0 August 2006

- 1 -

12 3 4 5 6 7...18

中文翻译

下载PDF

与K7D321874C-GC370相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K7D321874C-GC40	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 2MX18, CMOS, PBGA153
K7D321874C-GC400	SAMSUNG	获取价格	DDR SRAM, 2MX18, CMOS, PBGA153, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, BGA-153
K7D321874C-HC33	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 2MX18, CMOS, PBGA153
K7D321874C-HC330	SAMSUNG	获取价格	DDR SRAM, 2MX18, CMOS, PBGA153, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-153
K7D321874C-HC37	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 2MX18, CMOS, PBGA153
K7D321874C-HC370	SAMSUNG	获取价格	DDR SRAM, 2MX18, CMOS, PBGA153, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-153
K7D321874C-HC40	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 2MX18, CMOS, PBGA153
K7D321874C-HC400	SAMSUNG	获取价格	DDR SRAM, 2MX18, CMOS, PBGA153, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-153
K7D323674A	SAMSUNG	获取价格	32Mb A-die DDR SRAM Specification
K7D323674A-GC33	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 1MX36, 2ns, CMOS, PBGA153

与K7D321874C-GC370相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

16
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

14
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

37
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

35

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K7D321874C-GC370

K7D321874C-GC370 技术参数

K7D321874C-GC370 数据手册

与K7D321874C-GC370相关器件

与K7D321874C-GC370相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K7D321874C-GC370

K7D321874C-GC370 技术参数

K7D321874C-GC370 数据手册

与K7D321874C-GC370相关器件

与K7D321874C-GC370相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？