是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | BGA, BGA153,9X17,50 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.92 |
最长访问时间: | 2 ns | 最大时钟频率 (fCLK): | 275 MHz |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PBGA-B153 |
JESD-609代码: | e0 | 内存密度: | 18874368 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 36 |
端子数量: | 153 | 字数: | 524288 words |
字数代码: | 512000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 512KX36 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | BGA |
封装等效代码: | BGA153,9X17,50 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 1.5,2.5 V |
认证状态: | Not Qualified | 最小待机电流: | 1.7 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.42 mA |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
K7D163674B-HC30 | SAMSUNG |
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512Kx36 & 1Mx18 SRAM | |
K7D163674B-HC300 | SAMSUNG |
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DDR SRAM, 512KX36, 0.2ns, CMOS, PBGA153, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-153 | |
K7D163674B-HC33 | SAMSUNG |
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512Kx36 & 1Mx18 SRAM | |
K7D163674B-HC330 | SAMSUNG |
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DDR SRAM, 512KX36, 0.2ns, CMOS, PBGA153, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-153 | |
K7D163674B-HC33T | SAMSUNG |
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DDR SRAM, 512KX36, 0.2ns, CMOS, PBGA153, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-153 | |
K7D163674B-HC37 | SAMSUNG |
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512Kx36 & 1Mx18 SRAM | |
K7D163674B-HC370 | SAMSUNG |
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DDR SRAM, 512KX36, 0.2ns, CMOS, PBGA153, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-153 | |
K7D163688M-HC25 | SAMSUNG |
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DDR SRAM, 512KX36, 0.1ns, CMOS, PBGA153, 14 X 22 MM, FCBGA-153 | |
K7D163688M-HC33 | SAMSUNG |
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DDR SRAM, 512KX36, 0.1ns, CMOS, PBGA153, 14 X 22 MM, FCBGA-153 | |
K7D321874A | SAMSUNG |
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32Mb A-die DDR SRAM Specification |