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K7D321874A-HC45

更新时间： 2024-09-17 21:21:55

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟双倍数据速率静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
18页	189K
描述
DDR SRAM, 2MX18, 2.5ns, CMOS, PBGA153, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-153

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K7D321874A-HC45 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	HBGA, BGA153,9X17,50
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.92
最长访问时间：	2.5 ns	其他特性：	PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)：	455 MHz	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PBGA-B153	JESD-609代码：	e0
长度：	22 mm	内存密度：	37748736 bit
内存集成电路类型：	DDR SRAM	内存宽度：	18
功能数量：	1	端子数量：	153
字数：	2097152 words	字数代码：	2000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	2MX18
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	HBGA	封装等效代码：	BGA153,9X17,50
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, HEAT SINK/SLUG
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	1.5,2.5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	2.75 mm	最大待机电流：	0.3 A
最小待机电流：	1.7 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	1 mA	最大供电电压 (Vsup)：	2.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	BALL	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	14 mm	Base Number Matches：	1

K7D321874A-HC45 数据手册

Advance

1Mx36 & 2Mx18 SRAM

K7D323674A

K7D321874A

Document Title

32M DDR SYNCHRONOUS SRAM

Revision History

Rev No.

Rev. 0.0

Rev. 0.1

History

DraftData

Dec. 2002

Jan. 2003

Remark

Advance

Initial document.

Remove /G operation thru the Spec.

- Remove /G from PUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM, PIN CONFIGURA-

TION, TRUTH TABLE and TIMING WAVEFORMs

Add 300MHz Speed bin.

- Add Part ID at ORDERING INFORMATION & IDD30at DC CHARACTERIS-

TICS

Change ILI and ILo at DC CHARCATERISTICS

- ILI : MIN -1 -> -3, MAX 1 -> 3, ILo : MIN -1 -> -5, MAX 1 -> 5

Change the comment of Programmable Impedance Output Driver.

Change RECOMMENDED DC OPERATING CONDITIONS.

- VREF : Min 0.68 -> 0.65, Max 1.0 -> 0.85

PRE- PUBLICATION DRAFT

Change PIN CAPACITANCE : CIN : 3 -> 3.1

SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE

Change AC TEST CONDITIONS : TR/RF: 0.4/0.4 -> 0.5/0.5

Change AC TIMING CHARACTERISTICS

- tCHCL : tKHKL -0.1 -> tKHKL -0.2 , tCLCH : tKLKH -0.1 -> tKLKH -0.2

- tCXCV : 2.10 -> 2.30

Rev 0.2

Feb. 2003

Advance

Change VDDQ RANGE

- In FEATURES : 1.5V VDDQ -> 1.5~.1.8V VDDQ

- In RECOMENDED DC OPERATING CONDITIONS : Max VDDQ : 1.6 -> 1.9

Change TRUTH TABLE : Remove Clock Stop

Change DC CHARACTERISTICS

- x36 IDD :

IDD50 : 950 -> 1050, IDD45 : 850 -> 950, IDD40: 800 -> 860, IDD30: 750 -> 760

- x18 IDD:

IDD50 : 850 -> 1000, IDD45 : 800 -> 900, IDD40: 750 -> 810, IDD30: 700 -> 710

- ISB1 : 150 -> 200

Change PIN CAPACITANCE : CIN : 3.1 -> 3.2, COUT : 4 -> 4.2

Change AC TIMING CHARACTERISTICS

- MIN tKHKL, tKHKL : -40 : 1.1 -> 1.2, -30 : 1.1 -> 1.4

- MIN tAVKH, tBVKH, tKHAX, tKHBX : -45 : 0.25 -> 0.27

- tKXCV MIN/MAX : 0.8/2.3 -> 1.0/2.5

Change PACKAGE THERMAL CHARACTERISTICS

The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the

right to change the specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions on the parameters

of this device. If you have any questions, please contact the SAMSUNG branch office near your office, call or cortact Headquarters.

Rev 0.4

- 1 -

Jun. 2003

12 3 4 5 6 7...18

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