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K7D163674B-HC330

更新时间： 2024-09-17 21:22:03

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		双倍数据速率静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
16页	433K
描述
DDR SRAM, 512KX36, 0.2ns, CMOS, PBGA153, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-153

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K7D163674B-HC330 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	BGA,	针数：	153
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.84
最长访问时间：	0.2 ns	其他特性：	PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码：	R-PBGA-B153	长度：	22 mm
内存密度：	18874368 bit	内存集成电路类型：	DDR SRAM
内存宽度：	36	功能数量：	1
端子数量：	153	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	512KX36	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	BGA	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY	并行/串行：	PARALLEL
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	2.21 mm
最大供电电压 (Vsup)：	2.63 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	BALL	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	BOTTOM	宽度：	14 mm
Base Number Matches：	1

K7D163674B-HC330 数据手册

K7D163674B

K7D161874B

512Kx36 & 1Mx18 SRAM

Document Title

16M DDR SYNCHRONOUS SRAM

Revision History

RevNo.

Rev. 0.0

Rev. 0.1

History

DraftData

Oct. 2003

Nov. 2003

Remark

Advance

Preliminary

Initial document.

Change JTAG DC OPERATING CONDITONS/AC TEST CONDITIONS

-to support 1.8~2.5V VDD, change some items.

Rev. 0.2

Rev. 0.3

Rev. 1.0

Change DC CHARACTERISTICS (Stop Clock Standby Current)

-ISB1 : 100 -> 150

Feb. 2004

Mar. 2004

Preliminary

Final

Change JTAG Instruction Cording

- For Reserved

Change DC CHARACTERISTICS (Increase Operating Current)

- x36 : add 40mA, x18 : add 60mA

The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the

right to change the specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions on the parameters

of this device. If you have any questions, please contact the SAMSUNG branch office near your office, call or cortact Headquarters.

Rev 1.0

Mar. 2004

- 1 -

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与K7D163674B-HC330相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K7D163674B-HC33T	SAMSUNG	获取价格	DDR SRAM, 512KX36, 0.2ns, CMOS, PBGA153, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-153
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K7D321874A-GC37	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 2MX18, 2ns, CMOS, PBGA153
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K7D321874A-HC33	SAMSUNG	获取价格	32Mb A-die DDR SRAM Specification

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