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K7D161874B-HC27

更新时间： 2024-09-17 11:27:43

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三星 - SAMSUNG		静态存储器
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16页	441K
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512Kx36 & 1Mx18 SRAM

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K7D161874B-HC27 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	BGA, BGA153,9X17,50
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.92
最长访问时间：	2 ns	最大时钟频率 (fCLK)：	275 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PBGA-B153
JESD-609代码：	e0	内存密度：	18874368 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	18
端子数量：	153	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	1MX18	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	BGA
封装等效代码：	BGA153,9X17,50	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	1.5,2.5 V
认证状态：	Not Qualified	最大待机电流：	0.15 A
最小待机电流：	1.7 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.39 mA	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	BALL
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

K7D161874B-HC27 数据手册

K7D163674B

K7D161874B

512Kx36 & 1Mx18 SRAM

Document Title

16M DDR SYNCHRONOUS SRAM

Revision History

RevNo.

Rev. 0.0

Rev. 0.1

History

DraftData

Oct. 2003

Nov. 2003

Remark

Advance

Preliminary

Initial document.

Change JTAG DC OPERATING CONDITONS/AC TEST CONDITIONS

-to support 1.8~2.5V VDD, change some items.

Rev. 0.2

Rev. 0.3

Rev. 1.0

Rev. 1.1

Change DC CHARACTERISTICS (Stop Clock Standby Current)

-ISB1 : 100 -> 150

Feb. 2004

Mar. 2004

Jan. 2004

Preliminary

Final

Change JTAG Instruction Cording

- For Reserved

Change DC CHARACTERISTICS (Increase Operating Current)

- x36 : add 40mA, x18 : add 60mA

Add DC CHARACTERISTICS

- VIN-CLK, VDIF-CLK, VCM-CLK

Final

Add AC INPUT CHARACTERISTICS

Add INPUT DEFINITION

The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the

right to change the specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions on the parameters

of this device. If you have any questions, please contact the SAMSUNG branch office near your office, call or cortact Headquarters.

Rev 1.1

Jan. 2005

- 1 -

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