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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-5 |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W4 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.23 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1 A | 集电极-发射极最大电压： | 200 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 |
| JEDEC-95代码： | TO-5 | JESD-30 代码： | O-MBCY-W4 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Qualified | 参考标准： | MIL-19500/485H |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 10000 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 1000 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| JANTX2N5415S | MICROSEMI |
完全替代  |
PNP LOW POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| JANTXV2N5415 | MICROSEMI |
类似代替 |
PNP LOW POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| JANTX2N5415 | MICROSEMI |
类似代替 |
PNP LOW POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JANTXV2N5415U4 | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), PNP, |
|
| JANTXV2N5415UA | ETC |
获取价格 |
BJT |
|
| JANTXV2N5416 | MICROSEMI |
获取价格 |
PNP LOW POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| JANTXV2N5416S | MICROSEMI |
获取价格 |
PNP LOW POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| JANTXV2N5416U4 | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), PNP, |
|
| JANTXV2N5416UA | ETC |
获取价格 |
BJT |
|
| JANTXV2N5545 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, N-Channel, Junction FET, |
|
| JANTXV2N5546 | TEMIC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 2-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-71, |
|
| JANTXV2N5547 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, N-Channel, Junction FET, |
|
| JANTXV2N5581 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-46 |
|
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