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JANTXV2N5416

更新时间： 2024-11-25 23:01:23

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		晶体小信号双极晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	61K
描述
PNP LOW POWER SILICON TRANSISTOR

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JANTXV2N5416 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.22	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	300 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JEDEC-95代码：	TO-5	JESD-30 代码：	O-MBCY-W4
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	4	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Qualified
参考标准：	MILITARY STANDARD (USA)	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	10000 ns
最大开启时间（吨）：	1000 ns	Base Number Matches：	1

JANTXV2N5416 数据手册

TECHNICAL DATA

PNP LOW POWER SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/ 485

Devices

Qualified Level

JAN

JANTX

JANTXV

2N5415

2N5415S

2N5416

2N5416S

MAXIMUM RATINGS

Ratings

Symbol 2N5415 2N5416 Units

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

200

300

Vdc

Adc

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

200

350

6.0

1.0

TO- 5*

2N5415, 2N5416

Total Power Dissipation @ T_A= +25⁰C

@ T_C= +25⁰C

0.75

⁰C

P_T

Operating & Storage Temperature Range

-65 to +200

T_op_,T

stg

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristics

Symbol

Max.

Unit

⁰C/W

Thermal Resistance, Junction-to-Case

17.5

qJC

2N5415S, 2N5416S

TO-39*

(TO-205AD)

*See appendix A for

1) Derate linearly 4.28 mW/⁰C for T_A> +25⁰C

2) Derate linearly 57.1 mW/⁰C for T_C> +25⁰C

package outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25⁰C unless otherwise noted)

Characteristics

Symbol

Min.

Max.

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector-Emitter Cutoff Current

V_CE= 150 Vdc

V_CE= 200 Vdc

V_CE= 250 Vdc

V_CE= 300 Vdc

mAdc

2N5415

2N5416

1.0

I_CEO

1.0

Emitter-Base Cutoff Current

V_EB= 6.0 Vdc

I_EBO

mAdc

Collector-Emitter Cutoff Current

V_CE= 200 Vdc, V_BE= 1.5 Vdc

V_CE= 300 Vdc, V_BE= 1.5 Vdc

Collector-Base Cutoff Current

V_CB= 175 Vdc

V_CB= 280 Vdc

Collector-Base Cutoff Current

V_CB= 200 Vdc

mAdc

2N5415

2N5416

I_CEX

mAdc

2N5415

2N5416

I_CBO1

2N5415

2N5416

I_CBO2

500

V_CB= 350 Vdc

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

120101

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JANTXV2N5416 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
JANTX2N5416S	MICROSEMI	完全替代	PNP LOW POWER SILICON TRANSISTOR
JAN2N5416S	MICROSEMI	完全替代	PNP LOW POWER SILICON TRANSISTOR
JAN2N5416	MICROSEMI	完全替代	PNP LOW POWER SILICON TRANSISTOR

与JANTXV2N5416相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JANTXV2N5416S	MICROSEMI	获取价格	PNP LOW POWER SILICON TRANSISTOR
JANTXV2N5416U4	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), PNP,
JANTXV2N5416UA	ETC	获取价格	BJT
JANTXV2N5545	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, N-Channel, Junction FET,
JANTXV2N5546	TEMIC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 2-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-71,
JANTXV2N5547	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, N-Channel, Junction FET,
JANTXV2N5581	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 40V V(BR)CEO \| 800MA I(C) \| TO-46
JANTXV2N5582	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 40V V(BR)CEO \| 800MA I(C) \| TO-46
JANTXV2N5660	MICROSEMI	获取价格	NPN POWER SILICON TRANSISTOR
JANTXV2N5661	MICROSEMI	获取价格	NPN POWER SILICON TRANSISTOR

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