JANTXV2N5666

更新时间： 2024-11-02 12:03:11

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美高森美 - MICROSEMI		晶体开关晶体管功率双极晶体管
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描述
NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR

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JANTXV2N5666 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-5
包装说明：	TO-5, 2 PIN	针数：	2
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.14
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	5 A	集电极-发射极最大电压：	200 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	40
JEDEC-95代码：	TO-5	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	15 W
认证状态：	Qualified	参考标准：	MIL-19500/455E
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	20 MHz	Base Number Matches：	1

JANTXV2N5666 数据手册

TECHNICAL DATA SHEET

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803

Website: http: //www.microsemi.com

NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/455

DEVICES

LEVELS

2N5664

2N5665

2N5666

2N5666S

2N5666U3

2N5667

2N5667S

JAN

JANTX

JANTV

JANS

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= +25°C unless otherwise noted)

2N5664

2N5666, S 2N5667, S

2N5665

Parameters / Test Conditions

Symbol

Unit

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Base Current

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_B

200

250

300

400

Vdc

Adc

TO-66 (TO-213AA)

2N5664, 2N5665

6.0

1.0

5.0

Collector Current

I_C

2N5664 2N5666, S

2N5665 2N5667, S

2N5666U3

Total

Power Dissipation

@ T_A= +25°C

@ T_C= +100°C

2.5

1.2

1.5

P_T

Operating & Storage Junction

Temperature Range

TO-5

2N5666, 2N5667

T_J, T_stg

-65 to +200

°C

Note: 1) Consult 19500/455 for thermal derating curves.

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_C= +25°C, unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

Symbol

Min.

Max.

Unit

OFF CHARACTERTICS

Collector-Emitter Breakdown Voltage

TO-39 (TO-205AD)

2N5666S, 2N5667S

I_C= 10mAdc

2N5664, 2N5666

250

400

V_(BR)CER

V_(BR)EBO

I_CES

Vdc

2N5665, 2N5667

Emitter-Base Breakdown Voltage

6.0

I_E= 10μAdc

Collector-Emitter Cutoff Current

V_CE= 200Vdc

2N5664, 2N5666

2N5665, 2N5667

0.2

μAdc

V_CE= 300Vdc

U-3

2N5666U3

Collector-Base Cutoff Current

V_CB= 200Vdc

2N5664, 2N5666

2N5665, 2N5667

0.1

1.0

μAdc

_CB= 250Vdc

V_CB= 300Vdc

_CB= 400Vdc

mAdc

I_CBO

0.1

1.0

μAdc

mAdc

T4-LDS-0062 Rev. 1 (081095)

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JANTXV2N5666S	MICROSEMI	获取价格	NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR
JANTXV2N5666U3	MICROSEMI	获取价格	NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR
JANTXV2N5667	MICROSEMI	获取价格	NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR
JANTXV2N5667S	MICROSEMI	获取价格	NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR
JANTXV2N5671	MICROSEMI	获取价格	NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR
JANTXV2N5672	MICROSEMI	获取价格	NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR
JANTXV2N5679	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 100V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-5
JANTXV2N5680	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 120V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-5
JANTXV2N5681	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-205AD
JANTXV2N5682	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-205AD

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