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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-XDSO-N6 |
| 针数： | 6 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.25 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.6 A | 集电极-发射极最大电压： | 60 V |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS | 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 |
| JEDEC-95代码： | TO-78 | JESD-30 代码： | R-XDSO-N6 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 6 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Qualified |
| 参考标准： | MIL-19500/496B | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 140 ns | 最大开启时间（吨）： | 50 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| JANTX2N5796U | MICROSEMI |
完全替代  |
PNP DUAL SILICON TRANSISTOR |
|
| JAN2N5796U | MICROSEMI |
完全替代 |
PNP DUAL SILICON TRANSISTOR |
|
| 2N5796U | MICROSEMI |
完全替代 |
PNP DUAL SILICON TRANSISTOR |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JANTXV2N5796UC | MICROSEMI |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| JANTXV2N6032 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| JANTXV2N6033 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| JANTXV2N6051 | MICREL |
获取价格 |
PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| JANTXV2N6052 | MICREL |
获取价格 |
PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| JANTXV2N6058 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| JANTXV2N6059 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| JANTXV2N6193 | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39, T |
|
| JANTXV2N6211 | MICROSEMI |
获取价格 |
PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| JANTXV2N6212 | MICROSEMI |
获取价格 |
PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR |
|
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