JANTXV2N6300

更新时间： 2024-02-12 02:58:00

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描述
PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR

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JANTXV2N6300 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.19
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	8 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Qualified	参考标准：	MIL-19500/539B
表面贴装：	NO	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

JANTXV2N6300 数据手册

TECHNICAL DATA

PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/ 539

Devices

Qualified Level

JANTX

JANTXV

2N6300

2N6301

MAXIMUM RATINGS

Ratings

Symbol 2N6300 2N6301 Units

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Base Current

Vdc

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_B

Vdc

5.0

120

8.0

Vdc

mAdc

Adc

Collector Current

I_C

Total Power Dissipation

@ T_C= 0⁰C ⁽¹⁾

@ T_C= 100⁰C

⁰C

P_T

Operating & Storage Junction Temperature Range

1) Derate linearly 0.428 W/⁰C above T_C> 0⁰C

-55 to +200

T_J_,T

stg

TO-66* (TO-213AA)

*See appendix A for

package outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_C= 25⁰C unless otherwise noted)

Characteristics

OFF CHARACTERISTICS

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I_C= 100 mAdc

Symbol

Min.

Max.

Unit

Vdc

2N6300

2N6301

V_(BR)

CEO

Collector-Emitter Cutoff Current

V_CE= 30 Vdc

V_CE= 40 Vdc

Collector-Emitter Cutoff Current

V_CE= 60 Vdc, V_BE= -1.5 Vdc

V_CE= 80 Vdc, V_BE= -1.5 Vdc

Emitter-Base Cutoff Current

V_EB= 5.0 Vdc

0.5

mAdc

2N6300

2N6301

I_CEO

I_CEX

I_EBO

0.5

2N6300

2N6301

2.0

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

120101

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与JANTXV2N6300相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
JANTXV2N6301	MICROSEMI	PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR	获取价格
JANTXV2N6306	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 250V V(BR)CEO \| 8A I(C) \| TO-3	获取价格
JANTXV2N6308	MICROSEMI	NPN POWER SILICON TRANSISTOR	获取价格
JANTXV2N6338	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 100V V(BR)CEO \| 25A I(C) \| TO-3	获取价格
JANTXV2N6340	MICROSEMI	Power Bipolar Transistor, 25A I(C), 140V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL	获取价格
JANTXV2N6341	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 150V V(BR)CEO \| 25A I(C) \| TO-3	获取价格