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JANTXV2N6385

更新时间： 2024-02-19 14:47:41
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页数 文件大小 规格书
16页 85K
描述
TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 80V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-3

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JANTXV2N6385 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：TO-3, 2 PIN
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.76
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：10 A
集电极-发射极最大电压：80 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：100JEDEC-95代码：TO-204AA
JESD-30 代码：O-MBFM-P2元件数量：1
端子数量：2封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：NPN认证状态：Qualified
参考标准：MIL-19500表面贴装：NO
端子形式：PIN/PEG端子位置：BOTTOM
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

JANTXV2N6385 数据手册

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The documentation and process conversion  
measures necessary to comply with this revision  
shall be completed by 10 November 1999.  
INCH-POUND  
MIL-PRF-19500/523B  
10 August 1999  
SUPERSEDING  
MIL-S-19500/523A  
21 July 1993  
PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET  
SEMICONDUCTOR DEVICE, DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, SILICON, POWER  
TYPES 2N6383, 2N6384, 2N6385, JAN, JANTX, AND JANTXV  
This specification is approved for use by all Depart-  
ments and Agencies of the Department of Defense.  
1. SCOPE  
1.1 Scope. This specification covers the performance requirements for NPN, silicon, power transistors. Three levels of product  
assurance are provided for each device type as specified in MIL-PRF-19500.  
1.2 Physical dimensions. See figure 1 (TO-3).  
1.3 Maximum ratings.  
P
1/  
P
2/  
V
CBO  
V
CEO  
V
EBO  
I
C
I
B
T
and  
OP  
T
T
R
Max  
qJC  
T
= +25°C  
T
= +25°C  
T
STG  
A
C
W
W
V dc  
V dc  
V dc  
A dc  
A dc  
°C  
°C/W  
2N6383  
2N6384  
2N6385  
6.0  
6.0  
6.0  
100  
100  
100  
40  
60  
80  
40  
60  
80  
5.0  
5.0  
5.0  
10  
10  
10  
0.25  
0.25  
0.25  
-55 to +175  
-55 to +175  
-55 to +175  
1.75  
1.75  
1.75  
1/ Derate linearly 34.2 mW/°C above T > +25°C.  
A
2/ Derate linearly 571 mW/°C above T > +25°C.  
C
1.4 Primary electrical characteristics.  
Switching  
V = 30 V dc  
CC  
h
V
V
V
C
obo  
|h |  
fe  
FE1  
CE(SAT)1  
CE(SAT)2  
BE(ON)1  
V
= 3.0 V dc  
I
= 5.0 A dc  
I
= 10 A dc  
V
= 3.0 V dc  
V
CB  
= 10 V dc  
V
I
= 5.0 V dc  
CE  
C
C
CE  
CE  
I
= 5.0 A dc  
1/  
I
B
= 10 mA dc  
1/  
I
= 0.1 A dc  
1/  
I
= 5.0 A dc  
1/  
I
E
= 0  
= 1.0 A dc  
f = 1 MHz  
I
= 5.0 A dc  
C
B
C
C
CC  
100 kHz < f £ 1 MHz  
I
B1  
= 20 mA dc  
t
on  
t
f
of  
V dc  
2.0  
V dc  
3.0  
V dc  
2.8  
pF  
ms  
ms  
Min  
Max  
1,000  
20,000  
20  
300  
200  
2.5  
10.0  
1/ Pulsed, see 4.5.1  
Beneficial comments (recommendations, additions, deletions) and any pertinent data which may be of use in improving this document  
should be addressed to: Commander, Defense Supply Center Columbus, ATTN: DSCC-VAC, 3990 East Broad Street, Columbus, OH  
43216-5000, by using the Standardization Document Improvement Proposal (DD Form 1426) appearing at the end of this document or  
by letter.  
AMSC N/A  
FSC 5961  
DISTRIBUTION STATEMENT A. Approved for public release; distribution is unlimited.  
1234567...16

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与JANTXV2N6385相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JANTXV2N6438 MICROSEMI

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 25A I(C), 120V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin,
JANTXV2N6546 MICROSEMI

获取价格

 		NPN POWER SILICON TRANSISTOR
JANTXV2N6547 MICROSEMI

获取价格

 		NPN POWER SILICON TRANSISTOR
JANTXV2N6603 MOTOROLA

获取价格

 		L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
JANTXV2N6604 MOTOROLA

获取价格

 		L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
JANTXV2N6648 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 40V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-204MA
JANTXV2N6649 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 60V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-3
JANTXV2N6650 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 80V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-3
JANTXV2N6660 VISHAY

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
JANTXV2N6660B VISHAY

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.99A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta

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