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JANTXV2N6764

更新时间: 2024-11-29 12:09:27
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 晶体晶体管功率场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 1006K
描述
N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/543

JANTXV2N6764 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:BFM包装说明:FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
针数:2Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.16Is Samacsys:N
其他特性:RADIATION HARDENED外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:100 V
最大漏极电流 (ID):38 A最大漏源导通电阻:0.055 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-204AE
JESD-30 代码:O-MBFM-P2JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM):70 A
认证状态:Qualified参考标准:MILITARY STANDARD (USA)
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:PIN/PEG端子位置:BOTTOM
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

JANTXV2N6764 数据手册

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N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/543
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