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| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.76 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 150 mJ | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 38 A | 最大漏源导通电阻： | 0.055 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-254AA |
| JESD-30 代码： | S-XSFM-P3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 152 A | 参考标准： | MIL-19500 |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JANTXV2N6766 | MICROSEMI |
获取价格 |
N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/543 |
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| JANTXV2N6766 | INFINEON |
获取价格 |
POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=200V, Rds(on)=0.085ohm, Id=30A) |
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| JANTXV2N6768 | INFINEON |
获取价格 |
TRANSISTORS N-CHANNEL(Vdss=400V, Rds(on)=0.300ohm, Id=14A) |
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| JANTXV2N6768T1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 400V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| JANTXV2N6770 | INFINEON |
获取价格 |
TRANSISTORS N-CHANNEL(Vdss=500V, Rds(on)=0.400ohm, Id=12A) |
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| JANTXV2N6770 | MICROSEMI |
获取价格 |
N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/543 |
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| JANTXV2N6770T1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| JANTXV2N6782 | INFINEON |
获取价格 |
POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=100V, Rds(on)=0.60ohm, Id=3.5A) |
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| JANTXV2N6782U | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET TRANSISTORS SURFACE MOUNT (LCC-18) |
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| JANTXV2N6784 | INFINEON |
获取价格 |
POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=200V, Rds(on)=1.5ohm, Id=2.25A) |
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