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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.23 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 25 A | 集电极-发射极最大电压： | 120 V |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 | JEDEC-95代码： | TO-3 |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 | JESD-609代码： | e0 |
| 端子数量： | 2 | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Qualified |
| 参考标准： | MIL | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| JAN2N6438 | MICROSEMI |
完全替代  |
Power Bipolar Transistor, 25A I(C), 120V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, |
|
| 2N6438 | MICROSEMI |
完全替代 |
Power Bipolar Transistor, 25A I(C), 120V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JANTXV2N6546 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| JANTXV2N6547 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN POWER SILICON TRANSISTOR |
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| JANTXV2N6603 | MOTOROLA |
获取价格 |
L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| JANTXV2N6604 | MOTOROLA |
获取价格 |
L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
|
| JANTXV2N6648 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 40V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-204MA |
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| JANTXV2N6649 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 60V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-3 |
|
| JANTXV2N6650 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 80V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-3 |
|
| JANTXV2N6660 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| JANTXV2N6660B | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.99A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| JANTXV2N6660P | VISHAY |
获取价格 |
TRANSISTOR SMALL SIGNAL, FET, FET General Purpose Small Signal |
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