生命周期: | Obsolete | 包装说明: | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.1 | 外壳连接: | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC): | 25 A | 基于收集器的最大容量: | 450 pF |
集电极-发射极最大电压: | 150 V | 配置: | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE): | 12 | JEDEC-95代码: | TO-204AA |
JESD-30 代码: | O-MBFM-P2 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 200 °C |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型: | NPN |
功耗环境最大值: | 200 W | 认证状态: | Not Qualified |
参考标准: | MIL | 表面贴装: | NO |
端子面层: | NOT SPECIFIED | 端子形式: | PIN/PEG |
端子位置: | BOTTOM | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 40 MHz |
最大关闭时间(toff): | 1250 ns | 最大开启时间(吨): | 500 ns |
VCEsat-Max: | 1.8 V | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
JANTXV2N6350 | MICROSEMI | NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR |
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JANTXV2N6351 | MICROSEMI | NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR |
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JANTXV2N6352 | MICROSEMI | NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR |
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JANTXV2N6353 | MICROSEMI | NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR |
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JANTXV2N6378 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 100V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, |
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JANTXV2N6379 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 120V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin |
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