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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> JANTXV2N6212
JANTXV2N6212 PDF预览

JANTXV2N6212

更新时间： 2024-11-02 11:24:07
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 晶体晶体管功率双极晶体管开关局域网高功率电源
页数 文件大小 规格书
2页 54K
描述
PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR

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JANTXV2N6212 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-66
包装说明：TO-66, 2 PIN针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.27
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：2 A集电极-发射极最大电压：300 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：10
JEDEC-95代码：TO-66JESD-30 代码：O-MBFM-P2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：200 °C
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：20 W
认证状态：Qualified参考标准：MIL-19500/461E
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：PIN/PEG
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：20 MHzBase Number Matches：1

JANTXV2N6212 数据手册

 浏览型号JANTXV2N6212的Datasheet PDF文件第2页 
TECHNICAL DATA  
PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR  
Qualified per MIL-PRF-19500/ 461  
Devices  
Qualified Level  
JAN  
2N6211  
2N6212  
2N6213  
JANTX  
JANTXV  
MAXIMUM RATINGS  
Ratings  
Symbol 2N6211 2N6212 2N6213 Unit  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Base Current  
225  
300  
350  
6.0  
1.0  
2.0  
350  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Adc  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IB  
275  
400  
Collector Current  
IC  
Total Power Dissipation  
@ TA = +250C (1)  
@ TC = +250C (2)  
3.0  
35  
W
W
0C  
PT  
Operating & Storage Temperature  
-55 to +200  
TO-66*  
Top, T  
stg  
(TO-213AA)  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristics  
Symbol  
Max.  
Unit  
0C/W  
Thermal Resistance Junction-to-Case  
5.0  
R
qJC  
1) Derate linearly 17.1 mW/0C for TA > +250C  
2) Derate linearly 200 mW/0C for TC > +250C  
*See appendix A for  
package outline  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 250C unless otherwise noted)  
Characteristics  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
IC = 200 mAdc, f = 30-60 Hz  
Symbol  
Min.  
Max.  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
225  
300  
350  
2N6211  
2N6212  
2N6213  
V(BR)  
CEO  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
IC = 200 mAdc, f = 30-60 Hz, RBE = 50 W  
250  
325  
375  
2N6211  
2N6212  
2N6213  
V(BR)  
CER  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
IC = 200 mAdc, f = 30-60 Hz, RBE = 50 W, VBE = -1.5 Vdc  
V(BR)  
CEX  
275  
350  
400  
2N6211  
2N6212  
2N6213  
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841  
120101  
1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803  
Page 1 of 2  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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