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JANTXV2N6286

更新时间： 2024-01-24 19:33:03
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
14页 78K
描述
TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 80V V(BR)CEO | 20A I(C) | TO-3

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JANTXV2N6286 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-3
包装说明：TO-3, 2 PIN针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.18外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：20 A集电极-发射极最大电压：80 V
配置：DARLINGTON最小直流电流增益 (hFE)：300
JEDEC-95代码：TO-204AAJESD-30 代码：O-MBFM-P2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP认证状态：Qualified
参考标准：MIL-19500/505B表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：PIN/PEG
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：4 MHzBase Number Matches：1

JANTXV2N6286 数据手册

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The documentation and process conversion  
measures necessary to comply with this revision  
shall be completed by 4 November 1999  
INCH-POUND  
MIL-PRF-19500/505B  
4 August 1999  
SUPERSEDING  
MIL-S-19500/505A(USAF)  
6 October 1993  
PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET  
SEMICONDUCTOR DEVICE, DARLINGTON TRANSISTOR, PNP, SILICON, POWER  
TYPE 2N6286, 2N6287 JAN, JANTX, AND JANTXV  
This specification is approved for use by the Depart-  
ments and Agencies of the Department of Defense.  
1. SCOPE  
1.1 Scope. This specification covers the performance requirements for PNP, Darlington, power transistors. Three levels of product  
assurance are provided for each encapsulated device type as specified in MIL-PRF-19500.  
1.2 Physical dimensions. See figure 1 (similar to T0-3).  
1.3 Maximum ratings.  
P
T
1/  
Type  
V
CBO  
V
CEO  
V
EBO  
I
C
I
B
T
and T  
STG  
op  
T
= +25°C  
T
= +100°C  
C
C
W
175  
175  
W
87.5  
87.5  
V dc  
-80  
-100  
V dc  
-80  
-100  
V dc  
-7  
-7  
A dc  
-20  
-20  
A dc  
-0.5  
-0.5  
°C  
2N6286  
2N6287  
-65 to +175  
-65 to +175  
1/ Derate linearly at 1.17 W/°C above T > +25°C.  
C
1.4 Primary electrical characteristics.  
h
1/  
h
1/  
V
V
V
FE2  
FE3  
CE(sat)1  
CE(sat)2  
BE(sat)  
I = -20 A dc  
C
Switching  
V
= -3 V dc  
V
= -3 V dc  
I
= -20 A dc  
I
= -10 A dc  
CE  
CE  
C
C
t
t
off  
on  
I
C
= -10 A dc  
I
C
= -20 A dc  
300  
I
= -200 mA dc  
I
= -40 mA dc  
I = -200 mA dc  
B
B
B
V dc  
-3.0  
V dc  
-2.0  
V dc  
-4.0  
ms  
ms  
Min  
1,250  
Max  
18,000  
2
10  
C
h
fe  
½h ½  
fe  
obo  
R
qJC  
V
CB  
= -10 V dc  
V
= -3 V dc  
V = -3 V dc  
CE  
I = -10 A dc  
C
CE  
I = -10 A dc  
C
I
E
= 0  
f = 1 MHz  
f = 1 MHz  
100 kHz £ f £ 1 MHz  
pF  
°C/W  
Min  
700  
8
Max  
400  
80  
0.857  
1/ Pulsed (see 4.5.1).  
Beneficial comments (recommendations, additions, deletions) and any pertinent data which may be of use in improving this document  
should be addressed to: Commander, Defense Supply Center Columbus, ATTN: DSCC-VAC, 3990 East Broad St., Columbus, OH  
43216-5000, by using the addressed Standardization Document Improvement Proposal (DD Form 1426) appearing at the end of this  
document or by letter.  
AMSC N/A  
FSC 5961  
DISTRIBUTION STATEMENT A. Approved for public release; distribution is unlimited.  
1234567...14

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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