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JANTXV2N6286

更新时间： 2024-02-14 01:10:48
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其他 - ETC 晶体晶体管
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14页 78K
描述
TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 80V V(BR)CEO | 20A I(C) | TO-3

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JANTXV2N6286 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-3
包装说明：TO-3, 2 PIN针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.18外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：20 A集电极-发射极最大电压：80 V
配置：DARLINGTON最小直流电流增益 (hFE)：300
JEDEC-95代码：TO-204AAJESD-30 代码：O-MBFM-P2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP认证状态：Qualified
参考标准：MIL-19500/505B表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：PIN/PEG
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：4 MHzBase Number Matches：1

JANTXV2N6286 数据手册

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MIL-PRF-19500/505B  
4.2 Qualification inspection. Qualification inspection shall be in accordance with MIL-PRF-19500 and herein.  
4.3 Screening. Screening shall be in accordance with table IV of MIL-PRF-19500, and as specified herein. The following  
measurements shall be made in accordance with table I herein. Devices that exceed the limits of table I herein shall not be acceptable.  
Screen (see  
table IV of  
Measurements  
MIL-PRF-19500)  
JANTX and JANTXV levels  
11  
I
and h  
FE1  
CEX1  
12  
13  
See 4.3.1  
Subgroup 2 of table I herein; I  
CEX1  
= 100 percent of initial  
value or 100 mA dc, whichever is greater.  
Dh = ±40 percent of initial value.  
FE1  
4.3.1 Power burn-in conditions. Power burn-in conditions are as follows:  
T = +162.5°C ±12.5°C, V ³ -10 V dc.  
J
CE  
NOTE: No heat sink or forced air cooling on the devices shall be permitted.  
4.4 Conformance inspection. Conformance inspection shall be in accordance with MIL-PRF-19500.  
4.4.1 Group A inspection. Group A inspection shall be conducted in accordance with MIL-PRF-19500, and table I herein. Electrical  
measurements (end-points) shall be in accordance with table I, subgroup 2 herein.  
4.4.2 Group B inspection. Group B inspection shall be conducted in accordance with the conditions specified for subgroup testing in  
table VIb (JAN, JANTX and JANTXV) of MIL-PRF-19500. Electrical measurements (end-points) shall be in accordance with table I,  
subgroup 2 herein.  
Subgroup  
B3  
Method  
1037  
Condition  
For solder die attach: V  
³ -10 V dc; T £ 35°C, 2,000 cycles.  
A
CB  
B3  
1037  
For eutectic die attach: T £ 35°C adjust P to achieve T = 150°C minimum, V  
CB  
A
T
J
³ -10 V dc.  
4.4.3 Group C inspection. Group C inspection shall be conducted in accordance with the conditions specified for subgroup testing in  
table VII of MIL-PRF-19500. Electrical measurements (end-points) shall be in accordance with table I, subgroup 2 herein.  
Subgroup  
C2  
Method  
2036  
Condition  
Tension: test condition A; weight = 10 lbs; time = 15 s.  
C6  
C6  
1037  
1037  
For solder die attach: V ³ -10 V dc; T £ 35°C, 6,000 cycles.  
CB A  
For eutectic die attach: T £ 35°C adjust P to achieve T = 150°C minimum, V  
CB  
A
T
J
³ -10 V dc.  
4.5 Method of inspection. Methods of inspection shall be as specified in the appropriate tables and as follows.  
4.5.1 Pulse measurements. Conditions for pulse measurement shall be as specified in section 4 of MIL-STD-750.  
5
12345678...14

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JANTXV2N6287 ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 100V V(BR)CEO | 20A I(C) | TO-3
JANTXV2N6298 MICROSEMI

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 		PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR
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 		Power Bipolar Transistor, 25A I(C), 140V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL
JANTXV2N6341 ETC

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