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JANTXV2N6286

更新时间： 2024-02-14 05:10:30
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其他 - ETC 晶体晶体管
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14页 78K
描述
TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 80V V(BR)CEO | 20A I(C) | TO-3

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JANTXV2N6286 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-3
包装说明：TO-3, 2 PIN针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.18外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：20 A集电极-发射极最大电压：80 V
配置：DARLINGTON最小直流电流增益 (hFE)：300
JEDEC-95代码：TO-204AAJESD-30 代码：O-MBFM-P2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP认证状态：Qualified
参考标准：MIL-19500/505B表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：PIN/PEG
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：4 MHzBase Number Matches：1

JANTXV2N6286 数据手册

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MIL-PRF-19500/505B  
TABLE I. Group A inspection - Continued.  
Inspection 1/  
MIL-STD-750  
Conditions  
Symbol  
Limits  
Unit  
Method  
3076  
Min  
300  
Max  
Subgroup 2 - Continued  
Forward-current transfer ratio  
V
CE  
= -3 V dc; I = -20 A dc;  
h
FE3  
C
pulsed (see 4.5.1)  
Subgroup 3  
T
= +150°C  
A
High-temperature operation:  
I
CEX2  
Collector - emitter  
cutoff current  
3041  
-5.0  
-2.0  
mA dc  
Bias condition A;  
V
BE  
V
CE  
V
CE  
= +1.5 V dc;  
= -80 V dc  
= -100 V dc  
2N6286  
2N6287  
Collector - emitter  
saturated voltage  
3071  
3076  
V dc  
I
C
= -10 A dc; I = -40 mA dc;  
V
CE(sat)3  
B
pulsed (see 4.5.1)  
Low-temperature operation:  
T
= -55°C  
A
150  
h
FE4  
Forward-current  
transfer ratio  
V
= -3 V dc; I = -10 A dc;  
C
CE  
pulsed (see 4.5.1)  
Subgroup 4  
Pulse response:  
Turn-on time  
2.0  
10  
ms  
ms  
V
= -30 V dc; I = -10 A dc;  
t
CC  
C
on  
I
B
= -40 mA dc; (see figure 2)  
Turn-off time  
V
CC  
= -30 V dc; I = -10 A dc;  
t
off  
C
I
B1  
= I = -40 mA dc  
B2  
(see figure 2)  
Magnitude of common- emitter  
small-signal short-circuit  
forward- current transfer ratio  
3306  
8
80  
V
= -3 V dc; I = -10 A dc;  
½h ½  
fe  
CE  
f = 1.0 MHz  
C
Small-signal short-circuit  
forward-current transfer ratio  
3206  
3236  
300  
V
V
= -3 V dc; I = -10 A dc  
h
CE  
C
fe  
Open circuit output capacitance  
400  
pF  
= -10 V dc; I = 0;  
C
obo  
CB  
E
100 kHz £ f £ 1 MHz  
See footnote at end of table.  
7
1...45678910...14

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JANTXV2N6287 ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 100V V(BR)CEO | 20A I(C) | TO-3
JANTXV2N6298 MICROSEMI

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 		PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR
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 		Power Bipolar Transistor, 25A I(C), 140V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL
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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 150V V(BR)CEO | 25A I(C) | TO-3

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