JANTX2N5796U

更新时间： 2024-09-30 00:01:43

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		晶体小信号双极晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	130K
描述
PNP DUAL SILICON TRANSISTOR

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

JANTX2N5796U 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-XDSO-N6
针数：	6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.26	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.6 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JEDEC-95代码：	TO-78	JESD-30 代码：	R-XDSO-N6
JESD-609代码：	e0	元件数量：	2
端子数量：	6	最高工作温度：	175 °C
最低工作温度：	-65 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Qualified	参考标准：	MIL-19500/496B
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	140 ns
最大开启时间（吨）：	50 ns	Base Number Matches：	1

JANTX2N5796U 数据手册

TECHNICAL DATA

PNP DUAL SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/496

Devices

Qualified Level

JAN

2N5796

2N5795

JANTX

JANTXV

2N5796U

MAXIMUM RATINGS

Ratings

Symbol

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Value

Units

Vdc

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Vdc

5.0

Vdc

TO-78*

mAdc

600

Both⁽²⁾

One⁽¹⁾

Section

0.5

Sections

Total Power Dissipation

@ T_A= +25⁰C

0.6

⁰C

P_T

Operating & Storage Junction Temperature Range

-65 to +175

T_J,T

stg

1) Derate linearly 2.86 mW/⁰C for T_A≥ +25⁰C

2) Derate linearly 3.43 mW/⁰C for T_A≥ +25⁰C

6 PIN SURFACE

MOUNT*

*See

MILPRF19500/496 for

package outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25⁰C unless otherwise noted)

Characteristics

Symbol

Min.

Max.

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I_C= 10 mAdc

Vdc

V_(BR)CEO

I_CBO

Collector-Base Cutoff Current

V_CB= 50 Vdc

ηAdc

µAdc

V_CBO= 60 Vdc

Emitter-Base Cutoff Current

V_EB= 3.0 Vdc

I_EBO

ηAdc

µAdc

100

V_EB= 5.0 Vdc

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

42203

Page 1 of 2

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

12 3

中文翻译

下载PDF

JANTX2N5796U 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
JANTXV2N5796U	MICROSEMI	完全替代	PNP DUAL SILICON TRANSISTOR
2N5796U	MICROSEMI	完全替代	PNP DUAL SILICON TRANSISTOR
JAN2N5796U	MICROSEMI	类似代替	PNP DUAL SILICON TRANSISTOR

与JANTX2N5796U相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JANTX2N5926	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 120V V(BR)CEO \| 50A I(C) \| TO-210AE
JANTX2N5927	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 120V V(BR)CEO \| 100A I(C) \| TO-114
JANTX2N6032	MICROSEMI	获取价格	NPN POWER SILICON TRANSISTOR
JANTX2N6033	MICROSEMI	获取价格	NPN POWER SILICON TRANSISTOR
JANTX2N6051	MICREL	获取价格	PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR
JANTX2N6052	MICREL	获取价格	PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR
JANTX2N6058	MICROSEMI	获取价格	NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR
JANTX2N6059	MICROSEMI	获取价格	NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR
JANTX2N6193	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39, T
JANTX2N6211	MICROSEMI	获取价格	PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR

与JANTX2N5796U相关文章

塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
2024-09-29

30
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
2024-09-29

27
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
2024-09-27

26
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
2024-09-27

35

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

JANTX2N5796U

JANTX2N5796U 技术参数

JANTX2N5796U 数据手册

JANTX2N5796U 替代型号

与JANTX2N5796U相关器件

与JANTX2N5796U相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

JANTX2N5796U

JANTX2N5796U 技术参数

JANTX2N5796U 数据手册

JANTX2N5796U 替代型号

与JANTX2N5796U相关器件

与JANTX2N5796U相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？