JANTX2N6250

更新时间： 2024-11-04 00:01:43

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美高森美 - MICROSEMI		晶体晶体管功率双极晶体管局域网
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3页	59K
描述
NPN POWER SILICON TRANSISTOR

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JANTX2N6250 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-3
包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.2
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	10 A	集电极-发射极最大电压：	275 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	8
JEDEC-95代码：	TO-204AA	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	100 W
认证状态：	Qualified	参考标准：	MIL-19500/510D
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	2.5 MHz
Base Number Matches：	1

JANTX2N6250 数据手册

TECHNICAL DATA

NPN POWER SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/ 510

Devices

Qualified Level

JAN

2N6249

2N6251

2N6250

JANTX

JANTXV

JANHC

MAXIMUM RATINGS

2N6249 2N6250 2N6251

Ratings

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Symbol

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Units

Vdc

200

300

275

375

6.0

350

450

Vdc

Adc

Base Current

5.0

5.5

175

Adc

⁰C

I_B

Total Power Dissipation @ T_A= +25⁰C ⁽¹⁾

P_T

@ T_C= +25⁰C ⁽²⁾

Operating & Storage Temp Range

-55 to +200

T_op,

stg

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristics

TO-3 (TO-204AA)*

Symbol

Max.

Unit

⁰C/W

Thermal Resistance, Junction-to-Case

1.0

qJC

1) Derate linearly at 34.2 mW/⁰C for T_A> +25⁰C

2) Derate linearly at 1.0 W/⁰C for T_C> +25⁰C

*See Appendix A for Package

Outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25⁰C unless otherwise noted)

Characteristics

Symbol

Min.

Max.

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I_C= 200 mAdc; L = 42 mH; F = 30-60 Hz

(See Figure 3 of MIL-PRF-19500/510)

2N6249

2N6250

2N6251

200

275

350

Vdc

V_(BR)

CEO

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I_C= 200 mAdc; L = 14 mH; F = 30-60 Hz; R_BE= 50W

(See Figure 3 of MIL-PRF-19500/510)

Vdc

V_(BR)

2N6249

2N6250

2N6251

225

300

375

CER

Emitter-Base Cutoff Current

V_EB= 6 Vdc

I_EBO

mAdc

100

Collector-Emitter Cutoff Current

V_CE= 150 Vdc

V_CE= 225 Vdc

2N6249

2N6250

2N6251

1.0

mAdc

I_CEO

V_CE= 300 Vdc

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

120101

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JANTX2N6250 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
JANTX2N6277	MICROSEMI	类似代替	PNP POWER SILICON TRANSISTOR
2N6284G	ONSEMI	功能相似	Darlington ComplementarySilicon Power Transistors
JAN2N6277	MICROSEMI	功能相似	PNP POWER SILICON TRANSISTOR

与JANTX2N6250相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JANTX2N6250T1	MICROSEMI	获取价格	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 275V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-254AA, TO-2
JANTX2N6251	MICROSEMI	获取价格	NPN POWER SILICON TRANSISTOR
JANTX2N6251T1	MICROSEMI	获取价格	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-254AA, TO-2
JANTX2N6274	MICROSEMI	获取价格	PNP POWER SILICON TRANSISTOR
JANTX2N6277	MICROSEMI	获取价格	PNP POWER SILICON TRANSISTOR
JANTX2N6283	MICROSEMI	获取价格	NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR
JANTX2N6284	MICROSEMI	获取价格	NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR
JANTX2N6286	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| PNP \| 80V V(BR)CEO \| 20A I(C) \| TO-3
JANTX2N6287	MICROSEMI	获取价格	PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR
JANTX2N6298	MICROSEMI	获取价格	PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR

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