5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> JANTX2N6213
JANTX2N6213 PDF预览

JANTX2N6213

更新时间： 2024-11-04 11:22:55
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 晶体晶体管功率双极晶体管高功率电源
页数 文件大小 规格书
2页 54K
描述
PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR

阅读下载

中文翻译

获取价格

JANTX2N6213 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-66
包装说明：TO-66, 2 PIN针数：3
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.21Is Samacsys：N
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：2 A
集电极-发射极最大电压：350 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：10JEDEC-95代码：TO-66
JESD-30 代码：O-MBFM-P2JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：200 °C封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：20 W认证状态：Qualified
参考标准：MIL-19500/461E子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：PIN/PEG端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：20 MHz
Base Number Matches：1

JANTX2N6213 数据手册

 浏览型号JANTX2N6213的Datasheet PDF文件第2页 
TECHNICAL DATA  
PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR  
Qualified per MIL-PRF-19500/ 461  
Devices  
Qualified Level  
JAN  
2N6211  
2N6212  
2N6213  
JANTX  
JANTXV  
MAXIMUM RATINGS  
Ratings  
Symbol 2N6211 2N6212 2N6213 Unit  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Base Current  
225  
300  
350  
6.0  
1.0  
2.0  
350  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Adc  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IB  
275  
400  
Collector Current  
IC  
Total Power Dissipation  
@ TA = +250C (1)  
@ TC = +250C (2)  
3.0  
35  
W
W
0C  
PT  
Operating & Storage Temperature  
-55 to +200  
TO-66*  
Top, T  
stg  
(TO-213AA)  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristics  
Symbol  
Max.  
Unit  
0C/W  
Thermal Resistance Junction-to-Case  
5.0  
R
qJC  
1) Derate linearly 17.1 mW/0C for TA > +250C  
2) Derate linearly 200 mW/0C for TC > +250C  
*See appendix A for  
package outline  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 250C unless otherwise noted)  
Characteristics  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
IC = 200 mAdc, f = 30-60 Hz  
Symbol  
Min.  
Max.  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
225  
300  
350  
2N6211  
2N6212  
2N6213  
V(BR)  
CEO  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
IC = 200 mAdc, f = 30-60 Hz, RBE = 50 W  
250  
325  
375  
2N6211  
2N6212  
2N6213  
V(BR)  
CER  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
IC = 200 mAdc, f = 30-60 Hz, RBE = 50 W, VBE = -1.5 Vdc  
V(BR)  
CEX  
275  
350  
400  
2N6211  
2N6212  
2N6213  
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841  
120101  
1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803  
Page 1 of 2  
12

中文翻译

下载PDF

JANTX2N6213 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
JANTX2N5660 MICROSEMI

类似代替

 NPN POWER SILICON TRANSISTOR
TIP111G ONSEMI

功能相似

 Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors

与JANTX2N6213相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JANTX2N6249 MICROSEMI

获取价格

 		NPN POWER SILICON TRANSISTOR
JANTX2N6249T1 MICROSEMI

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-254AA, TO-2
JANTX2N6250 MICROSEMI

获取价格

 		NPN POWER SILICON TRANSISTOR
JANTX2N6250T1 MICROSEMI

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 275V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-254AA, TO-2
JANTX2N6251 MICROSEMI

获取价格

 		NPN POWER SILICON TRANSISTOR
JANTX2N6251T1 MICROSEMI

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-254AA, TO-2
JANTX2N6274 MICROSEMI

获取价格

 		PNP POWER SILICON TRANSISTOR
JANTX2N6277 MICROSEMI

获取价格

 		PNP POWER SILICON TRANSISTOR
JANTX2N6283 MICROSEMI

获取价格

 		NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR
JANTX2N6284 MICROSEMI

获取价格

 		NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR

与JANTX2N6213相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证