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JANTX2N6251T1 PDF预览

JANTX2N6251T1

更新时间： 2024-11-28 09:48:07
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 179K
描述
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-254AA, TO-254, 3 PIN

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JANTX2N6251T1 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-254AA
包装说明：FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3针数：3
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.21最大集电极电流 (IC)：10 A
集电极-发射极最大电压：350 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：6JEDEC-95代码：TO-254AA
JESD-30 代码：S-XSFM-P3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：200 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：SQUARE封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：175 W认证状态：Qualified
参考标准：MIL-19500/510子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：PIN/PEG端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

JANTX2N6251T1 数据手册

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TECHNICAL DATA SHEET  
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841  
1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803  
Website: http: //www.microsemi.com  
Gort Road Business Park, Ennis, Co. Clare, Ireland  
Tel: +353 (0) 65 6840044 Fax: +353 (0) 65 6822298  
NPN POWER SILICON TRANSISTOR  
Qualified per MIL-PRF-19500/510  
DEVICES  
LEVELS  
JAN  
2N6249  
2N6250  
2N6251  
2N6249T1  
2N6250T1  
2N6251T1  
JANTX  
JANTXV  
JANS  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = +25°C unless otherwise noted)  
2N6249 2N6250 2N6251  
2N6249T1 2N6250T1 2N6251T1  
Parameters / Test Conditions  
Collector-Emitter Voltage  
Symbol  
Unit  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
200  
300  
275  
375  
6.0  
10  
350  
450  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
Base Current  
IB  
5.0  
TO-3 (TO-204AA)  
Total Power Dissipation  
@ TA = +25°C (1)  
PT  
6.0  
175  
W
@ TC = +25°C (2)  
Operating & Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
NOTES:  
Top, Tstg  
RθJC  
-65 to +200  
1.0  
°C  
°C/W  
(1) Derate linearly at 34.2 mW/°C for TA > +25°C  
(2) Derate linearly at 1.0 mW/°C for TC > +25°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = +25°C, unless otherwise noted)  
TO-254  
Parameters / Test Conditions  
OFF CHARACTERTICS  
Symbol  
Min.  
Max.  
Unit  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
IC = 20mAdc; L = 42mH; f = 30 – 60Hz  
(See Figure 10 of MIL-PRF-19500/510)  
2N6249, T1  
2N6250, T1  
2N6251, T1  
200  
275  
350  
V(BR)CEO  
Vdc  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
IC = 200mAdc; L = 14mH; f = 30 – 60Hz; 2N6249, T1  
225  
300  
375  
V(BR)CER  
Vdc  
RBE = 50Ω  
2N6250, T1  
2N6251, T1  
(See Figure 10 of MIL-PRF-19500/510)  
Emitter-Base Cutoff Current  
IEBO  
100  
µAdc  
V
EB = 6.0Vdc  
T4-LDS-0197 Rev. 1 (110296)  
Page 1 of 5  
12345

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JANTX2N6251T1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
JAN2N6251T1 MICROSEMI

完全替代

 Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-254AA, TO-2
JANS2N6251T1 MICROSEMI

完全替代

 Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-254AA, TO-2

与JANTX2N6251T1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JANTX2N6274 MICROSEMI

获取价格

 		PNP POWER SILICON TRANSISTOR
JANTX2N6277 MICROSEMI

获取价格

 		PNP POWER SILICON TRANSISTOR
JANTX2N6283 MICROSEMI

获取价格

 		NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR
JANTX2N6284 MICROSEMI

获取价格

 		NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR
JANTX2N6286 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 80V V(BR)CEO | 20A I(C) | TO-3
JANTX2N6287 MICROSEMI

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 		PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR
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 		PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR

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