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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> JANTX2N6251
JANTX2N6251 PDF预览

JANTX2N6251

更新时间： 2024-11-24 00:01:43
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 晶体晶体管功率双极晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
3页 59K
描述
NPN POWER SILICON TRANSISTOR

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JANTX2N6251 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-3
包装说明：FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2针数：2
Reach Compliance Code：not_compliantHTS代码：8541.29.00.95
风险等级：1.44Is Samacsys：N
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：10 A
基于收集器的最大容量：500 pF集电极-发射极最大电压：350 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：6
JEDEC-95代码：TO-204AAJESD-30 代码：O-MBFM-P2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：200 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
功耗环境最大值：5.5 W最大功率耗散 (Abs)：175 W
认证状态：Qualified参考标准：MIL-19500/510D
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：PIN/PEG
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICON最大关闭时间（toff）：4500 ns
最大开启时间（吨）：2000 nsVCEsat-Max：1.5 V
Base Number Matches：1

JANTX2N6251 数据手册

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TECHNICAL DATA  
NPN POWER SILICON TRANSISTOR  
Qualified per MIL-PRF-19500/ 510  
Devices  
Qualified Level  
JAN  
2N6249  
2N6251  
2N6250  
JANTX  
JANTXV  
JANHC  
MAXIMUM RATINGS  
2N6249 2N6250 2N6251  
Ratings  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
Symbol  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Units  
Vdc  
200  
300  
275  
375  
6.0  
10  
350  
450  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Base Current  
5.0  
5.5  
175  
Adc  
W
W
0C  
IB  
Total Power Dissipation @ TA = +250C (1)  
PT  
@ TC = +250C (2)  
Operating & Storage Temp Range  
-55 to +200  
Top,  
T
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristics  
TO-3 (TO-204AA)*  
Symbol  
Max.  
Unit  
0C/W  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
1.0  
R
qJC  
1) Derate linearly at 34.2 mW/0C for TA > +250C  
2) Derate linearly at 1.0 W/0C for TC > +250C  
*See Appendix A for Package  
Outline  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 250C unless otherwise noted)  
Characteristics  
Symbol  
Min.  
Max.  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
IC = 200 mAdc; L = 42 mH; F = 30-60 Hz  
(See Figure 3 of MIL-PRF-19500/510)  
2N6249  
2N6250  
2N6251  
200  
275  
350  
Vdc  
V(BR)  
CEO  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
IC = 200 mAdc; L = 14 mH; F = 30-60 Hz; RBE = 50W  
(See Figure 3 of MIL-PRF-19500/510)  
Vdc  
V(BR)  
2N6249  
2N6250  
2N6251  
225  
300  
375  
CER  
Emitter-Base Cutoff Current  
VEB = 6 Vdc  
IEBO  
mAdc  
100  
Collector-Emitter Cutoff Current  
VCE = 150 Vdc  
VCE = 225 Vdc  
2N6249  
2N6250  
2N6251  
1.0  
1.0  
1.0  
mAdc  
ICEO  
VCE = 300 Vdc  
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841  
1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803  
120101  
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123

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与JANTX2N6251相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JANTX2N6251T1 MICROSEMI

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 		Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-254AA, TO-2
JANTX2N6274 MICROSEMI

获取价格

 		PNP POWER SILICON TRANSISTOR
JANTX2N6277 MICROSEMI

获取价格

 		PNP POWER SILICON TRANSISTOR
JANTX2N6283 MICROSEMI

获取价格

 		NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR
JANTX2N6284 MICROSEMI

获取价格

 		NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR
JANTX2N6286 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 80V V(BR)CEO | 20A I(C) | TO-3
JANTX2N6287 MICROSEMI

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