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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> JANTX2N6032
JANTX2N6032 PDF预览

JANTX2N6032

更新时间： 2024-09-30 00:01:43
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 晶体晶体管功率双极晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
3页 58K
描述
NPN POWER SILICON TRANSISTOR

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JANTX2N6032 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-3
包装说明：TO-3, 2 PIN针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.22Is Samacsys：N
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：50 A
集电极-发射极最大电压：90 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：10JEDEC-95代码：TO-204AA
JESD-30 代码：O-MBFM-P2JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：200 °C封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
认证状态：Qualified参考标准：MIL-19500/528A
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：PIN/PEG端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

JANTX2N6032 数据手册

 浏览型号JANTX2N6032的Datasheet PDF文件第2页浏览型号JANTX2N6032的Datasheet PDF文件第3页 
TECHNICAL DATA  
NPN POWER SILICON TRANSISTOR  
Qualified per MIL-PRF-19500/ 528  
Devices  
Qualified Level  
JANTX  
JANTXV  
2N6032  
2N6033  
MAXIMUM RATINGS  
Ratings  
Symbol 2N6032 2N6033 Units  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Collector Current  
90  
120  
50  
120  
150  
40  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Vdc  
Adc  
W
VCEO  
VCBO  
IC  
Emitter-Base Voltage  
7.0  
10  
140  
VEBO  
IB  
PT  
Base Current  
Total Power Dissipation  
@ TC = +250C (1)  
Operating & Storage Temperature Range  
-65 to +200  
0C  
Top, T  
stg  
TO-3*  
(TO-204AA)  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristics  
Symbol  
Max.  
Unit  
0C/W  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
1) Derate linearly 800 mW/0C between TC = 250C and TC = 2000C  
1.25  
R
qJC  
*See appendix A for  
package outline  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 250C unless otherwise noted)  
Characteristics  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
IC = 200 mAdc  
Symbol  
Min.  
Max.  
Unit  
Vdc  
90  
120  
2N6032  
2N6033  
V(BR)  
CEO  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
IC = 200 mAdc  
110  
140  
Vdc  
2N6032  
2N6033  
V(BR)  
CER  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
IC = 200 mAdc, VEB = 1.5 Vdc  
120  
150  
Vdc  
2N6032  
2N6033  
V(BR)  
CEX  
Collector-Base Cutoff Current  
VCB = 120 Vdc  
VCB = 150 Vdc  
Collector-Emitter Cutoff Current  
VCE = 110 Vdc, VBE =-1.5 Vdc  
VCE = 135 Vdc, VBE =-1.5 Vdc  
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841  
25  
25  
mAdc  
mAdc  
2N6032  
2N6033  
ICBO  
12  
10  
2N6032  
2N6033  
ICEX  
120101  
Page 1 of 2  
1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803  
123

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JANTX2N6032 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
JAN2N6032 MICROSEMI

完全替代

 NPN POWER SILICON TRANSISTOR
TIP31A STMICROELECTRONICS

功能相似

 Power transistors
BUV48A STMICROELECTRONICS

功能相似

 HIGH POWER NPN SILICON TRANSISTORS

与JANTX2N6032相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JANTX2N6033 MICROSEMI

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39, T
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